KAIST 告三星、高通侵犯 FinFET 专利，台积电、苹果也恐遭殃
2016-12-01
15:53:00
来源: 互联网
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韩国媒体朝鲜日报、东亚日报 1 日报导，韩国科学技术院（KAIST）专利管理子公司 KAIST IP 于 11 月 30 日向德州联邦地方法院提起专利侵权诉讼，控告三星电子、高通（Qualcomm）和格罗方德（GlobalFoundries）擅自盗用其所拥有的“FinFET”技术专利，要求支付专利使用费。
KAIST IP 指出，“长期以来持续和三星就支付使用费一事进行协商，不过三星全面拒绝，导致协商破裂。且除了三星、高通和格罗方格之外，今后也计划对台湾台积电、苹果（Apple）提告”。
KAIST IP 表示，三星、格罗方格、台积电使用 FinFET 技术生产、销售手机芯片，但却不支付使用费。三星、格罗方格供应芯片给高通，台积电则帮苹果生产 iPhone 用芯片。
据报导，三星关系人士表示，“目前正在掌握诉状内容。三星从 2000 年代初期就研发 3D 半导体技术，并拥有 FinFET 技术相关的自家专利”。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：科技新报）
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