首页 > 电子信息 > 正文

10nm良率噩耗三星S8、骁龙835抱头痛哭

2016-12-26 18:30:00 来源: 互联网

点击

上周，关于10nm工艺良率依旧不够理想的消息在媒体传开，据说影响到高通骁龙835、苹果A10X（新iPad）等一众新品。

目前外界普遍传言，三星确定在今年4月发布Galaxy S8，而不是2月底的MWC甚至1月的CES。

今天，业内人士Kevin王的笔记本称——

“S8上市推迟到四月应该和10纳米工艺还不成熟有很大关系，目前两家做10纳米的良率都不咋样，10纳米可能和之前20纳米一样都是过度技术，还是16/14/12纳米的工艺更靠谱。”

这里的12nm来自台积电，今年11月首次曝光，据说就是第四代16nm的马甲（因为改良幅度达、漏电率低，所以就“文字游戏”……）。

按照三星的说法，其10nm的工艺已经推进到第三代LPU（LPE和LPP之后），不知道骁龙835最终量产发布后时是否会直接用上二三代。

去年，三星为抢14nm的首发，不惜直接用LPE做Exynos 7420，但好在遇上的对手是骁龙810，没有翻车。如果良率不能在明年春有效解决的话，那初期的S8肯定很难买。

责任编辑：mooreelite

三星噩耗良率

10nm良率噩耗 三星S8、骁龙835抱头痛哭