ROHM在福冈增建新厂房,扩大SiC功率器件产能
2018-04-20
14:00:45
来源: 老杳吧
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该新厂房为地上3层建筑,总建筑面积约11,000平方米。目前正在进行相关细部设计,预计于2019年动工,并于2020年竣工完成。
ROHM自2010年开始量产SiC功率器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以来,领先业界进行各项新技术开发,是全球第一家进行全SiC功率模组和沟槽结构SiC-MOSFET量产的半导体公司。在制造方面,ROHM集团也建构了傲人的垂直整合生产体制,致力于强化晶圆大口径制程,并积极导入最新设备来提高生产效率。
目前世界正掀起前所未有的节能浪潮,业界对于可有效提升能源效率的SiC功率器件充满期待。为了满足日益增加的市场需求,ROHM决定在Apollo筑后工厂增建新厂房,以提高生产能力。
文章来源:http://laoyaoba.com/ss6/html/68/n-669868.html
责任编辑:星野
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