英特尔大连二期工厂投产：主攻96层3D NAND

2018-09-26 14:00:15 来源: 半导体行业观察

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在英特尔的转型业务中，存储芯片业务未来会占据更多的比重，尽管目前营收的绝对主力是客户端及数据中心处理器。英特尔的闪存业务是跟美光合资的，也就是IMFT公司，不过IMFT现在是美光为主，在第四代3D NAND闪存及第二代XPoint闪存之后，英特尔将与美光公司和平分手，双方各自研发、生产自家的闪存芯片。

英特尔公司三年前宣布将中国大连的Fab 68晶圆厂改造为NAND工厂，总投资55亿美元，现在，二期工厂已经投产了，主要生存96层堆栈的3D NAND闪存。

根据统计，在全球NAND Flash快闪存储器市场上，韩国三星的市占率高达到37%，东芝、西部数据则分别有20%、15%左右的市占率。再来才是美光、SK Hynix，英特尔是全球6大厂商中市占率最少的，不足10%，这也导致英特尔过去在NAND Flash快闪存储器，以及SSD固态硬盘市场上主打企业级市场，消费等级SSD市场就放置在重点之外，造成影响力远不如三星、东芝、美光等竞争对手。而出现这种情况的原因，就在于英特尔没有自己独立的NAND Flash快闪存储器产能。

2015年英特尔宣布将在中国大连的Fab 68工厂建设二期工程，主要生产非易失性存储器，也就是NAND闪存，项目总投资不超过55亿美元。如今经过三年的建设，Fab 68二期工厂正式投产，主要生产96层3D NAND闪存，这也意味着英特尔未来的3D NAND闪存产能将会大增。

据了解，英特尔2006年与大连市政府达成合作协定，2007年起在大连投资25亿美元，建设12英寸晶圆厂，主要负责处理器封装测试，2010年大连晶圆厂正式落成。至于现在宣布量产的大连Fab 68第2期工厂，未来将成为英特尔最重要的NAND快闪存储器生产基地。预计，英特尔70%的3D NAND快闪存储器将产自这里。至于与美光共同合作的3D XPoint快闪存储器，则在英特尔与美光宣布两家公司分道扬镳之后，英特尔正在把研发基地移师到新墨西哥州的工厂，预计会增加当地100多个工作岗位。

目前，英特尔与美光的3D XPoint闪存主要是在美国犹他州的工厂生产，双方将继续通力合作完成第二代3D XPoint技术开发，最终将会在2019年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会分道扬镳，各自开发基于3D XPoint技术的第三代产品。

责任编辑：Sophie

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