硅芯科技:从DTCO到STCO,先进封装时代2.5D/3D EDA+重构新范式
2026-05-29
19:45:56
来源: 互联网
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2026年5月27日,2.5D/3DIC集成与封装大会在无锡国际会展中心召开。
作为聚焦先进封装关键技术与产业化落地的专题论坛,本场会议围绕AI芯片封装、2.5D/3D集成、混合键合、EDA、先进封装测试、陶瓷转接板、热压与除泡、TCB键合、激光制造、磨划切设备以及射频处理综合系统等议题展开,讨论重点从概念判断进一步转向工艺可实施性、设备能力、测试覆盖、良率控制和产业协同。
在活动现场,珠海硅芯科技有限公司创始人兼CEO赵毅带来《先进封装时代下2.5D/3D EDA+重构新范式:全流程设计、仿真与验证的STCO协同创新》的主题演讲。
珠海硅芯科技有限公司创始人兼CEO赵毅
赵毅指出,2.5D/3D堆叠并非简单地将芯片封装在一起,而是涉及从系统架构、Die拆分、IO规划、布局布线、仿真验证到测试的全流程重构。传统单芯片设计中的DTCO已难以覆盖多芯片系统的复杂性,先进封装时代需要面向系统、工艺和工具链协同的新方法——即STCO。
赵毅认为,随着单芯片制程微缩的边际效益递减、成本效益比持续走低,加上光罩尺寸的限制,走堆叠路线已成为后摩尔时代的必然选择。无论是横向2.5D堆叠还是纵向3D堆叠,都是突破单芯片设计瓶颈的关键路径。值得注意的是,只有堆叠裸片并进行垂直互联,才能称之为“真3D”。在各类商业化产品中,堆叠的底层逻辑分为两类:功能性需求(如Logic Die与HBM之间需要超高带宽,微系统混合堆叠涉及数字、模拟、射频等特殊场景)和物理性需求(如互联信号完整性、电源完整性、热应力分析等)。
实现这些需求的路径也有两条:一是将已做好的裸片封装互联,二是将一颗SoC拆分为多颗小芯片,再设计并用特定工艺互联——后者对设计方法学提出了全新挑战。
赵毅强调,单芯片设计时代,做好DTCO已非易事;进入多芯片系统,难度呈指数级上升。整个设计流程、工具链和方法学都必须重构。首先是顶层系统架构探索与规划:每颗Die可以采用不同制程、不同功能,堆叠方式各异,甚至同构堆叠(如FPGA拆分为多颗)与异构堆叠(数字+模拟+射频)并存。
架构早期就需要确定工艺选型、互联方式,并完成单芯片建模、多芯片建模、高层次功能仿真和物理模型预分析。其次,IO的设计与分布必须从全局互联角度出发,而非单芯片视角——这一点与近期行业热议的“寻求最优路径”直接相关,只有从架构层面为细节布线的路径优化做好铺垫,才能真正释放高密度互联的工艺价值。
在物理设计层面,布局布线不能再孤立进行。必须实现从Chiplet到基板(Substrate)再到信号路由的多层级协同设计优化(co-design)。电源网络布线算法与单芯片完全不同,高密度互联下的差分对、高速接口布线以及电源网络分布都需要全新的子引擎。对于纵向3D堆叠,更是需要完全新的引擎,并且设计和仿真必须同步进行——边布线、边设计、边看性能,才能将“最优路径”发挥到极致。
仿真层面,多芯片集成系统面临三大难题:跨工艺、跨层级以及仿真前移。赵毅指出,传统“设计完成后再仿真”的模式周期过长,而采用边布线边仿真的协同方式,一个迭代流程可缩短至十多天。对于先进封装普遍关注的翘曲问题,不能仅靠仿真“亡羊补牢”,而应贯彻“可靠性是设计出来的”理念,在架构设计早期就进行应力分布分析。
测试环节在堆叠芯片时代已成为第一刚需——不能因为一颗小芯片的缺陷而废弃整个堆叠系统。缺陷机制和生成方式都是全新的,测试电路也必须随之变革,需要全新的多芯片测试方法学和新标准。IEEE 1838标准(2019年发布)正是为此而生,硅芯科技有幸参与了该标准的制定。验证环节同样面临新挑战:横向和纵向堆叠引入了大量新的物理规则,EDA工具需要与工艺厂共同挖掘这些规则,并适配相应的验证引擎。
赵毅介绍了硅芯科技推出的2.5D/3D EDA平台“3Sheng”。公司从2008年开始布局,至今已有近18年的技术积累,与产业链上下游深度合作。该平台最大的特点是实现了从Chiplet到中介层再到基板的全流程协同设计优化,并整合了性能、成本等多维度分析。应用场景覆盖超大规模数字芯片、超异构数字+模拟+射频混合集成,以及硅光集成。赵毅预告,今年年底将有一颗采用该工具链设计的3D EIC+PIC芯片完成。
最后,赵毅提出 “EDA+” 的概念:先进封装时代需要的不是一套孤立的工具,而是EDA+工艺+堆叠场景的深度融合。只有深度适配工艺,设计公司才能真正利用好先进工艺的性能。EDA作为贯穿各个环节的桥梁,需要与工艺、设备、材料、设计公司和科研机构协同联动。本次大会上,硅芯科技联合多家伙伴打造了先进封装生态联合展区,正是为了推动这一协同创新。
赵毅总结道,从6月份开始,中国半导体在堆叠这一新范式、新设计框架下将迎来一轮大的爆发。无论是大架构的堆叠还是小到路径的寻优,其核心在于整体从系统到端到端每个环节的协同,以及与工艺的深度匹配。只有重构设计方法学、打造全新的EDA工具链,才能真正释放先进封装高密度互联的价值,为后摩尔时代的芯片创新开辟新路径。
作为聚焦先进封装关键技术与产业化落地的专题论坛,本场会议围绕AI芯片封装、2.5D/3D集成、混合键合、EDA、先进封装测试、陶瓷转接板、热压与除泡、TCB键合、激光制造、磨划切设备以及射频处理综合系统等议题展开,讨论重点从概念判断进一步转向工艺可实施性、设备能力、测试覆盖、良率控制和产业协同。
在活动现场,珠海硅芯科技有限公司创始人兼CEO赵毅带来《先进封装时代下2.5D/3D EDA+重构新范式:全流程设计、仿真与验证的STCO协同创新》的主题演讲。
珠海硅芯科技有限公司创始人兼CEO赵毅赵毅指出,2.5D/3D堆叠并非简单地将芯片封装在一起,而是涉及从系统架构、Die拆分、IO规划、布局布线、仿真验证到测试的全流程重构。传统单芯片设计中的DTCO已难以覆盖多芯片系统的复杂性,先进封装时代需要面向系统、工艺和工具链协同的新方法——即STCO。
堆叠是后摩尔时代的必经之路
赵毅认为,随着单芯片制程微缩的边际效益递减、成本效益比持续走低,加上光罩尺寸的限制,走堆叠路线已成为后摩尔时代的必然选择。无论是横向2.5D堆叠还是纵向3D堆叠,都是突破单芯片设计瓶颈的关键路径。值得注意的是,只有堆叠裸片并进行垂直互联,才能称之为“真3D”。在各类商业化产品中,堆叠的底层逻辑分为两类:功能性需求(如Logic Die与HBM之间需要超高带宽,微系统混合堆叠涉及数字、模拟、射频等特殊场景)和物理性需求(如互联信号完整性、电源完整性、热应力分析等)。
实现这些需求的路径也有两条:一是将已做好的裸片封装互联,二是将一颗SoC拆分为多颗小芯片,再设计并用特定工艺互联——后者对设计方法学提出了全新挑战。
赵毅强调,单芯片设计时代,做好DTCO已非易事;进入多芯片系统,难度呈指数级上升。整个设计流程、工具链和方法学都必须重构。首先是顶层系统架构探索与规划:每颗Die可以采用不同制程、不同功能,堆叠方式各异,甚至同构堆叠(如FPGA拆分为多颗)与异构堆叠(数字+模拟+射频)并存。
架构早期就需要确定工艺选型、互联方式,并完成单芯片建模、多芯片建模、高层次功能仿真和物理模型预分析。其次,IO的设计与分布必须从全局互联角度出发,而非单芯片视角——这一点与近期行业热议的“寻求最优路径”直接相关,只有从架构层面为细节布线的路径优化做好铺垫,才能真正释放高密度互联的工艺价值。
在物理设计层面,布局布线不能再孤立进行。必须实现从Chiplet到基板(Substrate)再到信号路由的多层级协同设计优化(co-design)。电源网络布线算法与单芯片完全不同,高密度互联下的差分对、高速接口布线以及电源网络分布都需要全新的子引擎。对于纵向3D堆叠,更是需要完全新的引擎,并且设计和仿真必须同步进行——边布线、边设计、边看性能,才能将“最优路径”发挥到极致。
仿真、测试与验证:多维约束下的全新挑战
仿真层面,多芯片集成系统面临三大难题:跨工艺、跨层级以及仿真前移。赵毅指出,传统“设计完成后再仿真”的模式周期过长,而采用边布线边仿真的协同方式,一个迭代流程可缩短至十多天。对于先进封装普遍关注的翘曲问题,不能仅靠仿真“亡羊补牢”,而应贯彻“可靠性是设计出来的”理念,在架构设计早期就进行应力分布分析。
测试环节在堆叠芯片时代已成为第一刚需——不能因为一颗小芯片的缺陷而废弃整个堆叠系统。缺陷机制和生成方式都是全新的,测试电路也必须随之变革,需要全新的多芯片测试方法学和新标准。IEEE 1838标准(2019年发布)正是为此而生,硅芯科技有幸参与了该标准的制定。验证环节同样面临新挑战:横向和纵向堆叠引入了大量新的物理规则,EDA工具需要与工艺厂共同挖掘这些规则,并适配相应的验证引擎。
硅芯科技:2.5D/3D EDA平台与EDA+生态
赵毅介绍了硅芯科技推出的2.5D/3D EDA平台“3Sheng”。公司从2008年开始布局,至今已有近18年的技术积累,与产业链上下游深度合作。该平台最大的特点是实现了从Chiplet到中介层再到基板的全流程协同设计优化,并整合了性能、成本等多维度分析。应用场景覆盖超大规模数字芯片、超异构数字+模拟+射频混合集成,以及硅光集成。赵毅预告,今年年底将有一颗采用该工具链设计的3D EIC+PIC芯片完成。
最后,赵毅提出 “EDA+” 的概念:先进封装时代需要的不是一套孤立的工具,而是EDA+工艺+堆叠场景的深度融合。只有深度适配工艺,设计公司才能真正利用好先进工艺的性能。EDA作为贯穿各个环节的桥梁,需要与工艺、设备、材料、设计公司和科研机构协同联动。本次大会上,硅芯科技联合多家伙伴打造了先进封装生态联合展区,正是为了推动这一协同创新。
结语
赵毅总结道,从6月份开始,中国半导体在堆叠这一新范式、新设计框架下将迎来一轮大的爆发。无论是大架构的堆叠还是小到路径的寻优,其核心在于整体从系统到端到端每个环节的协同,以及与工艺的深度匹配。只有重构设计方法学、打造全新的EDA工具链,才能真正释放先进封装高密度互联的价值,为后摩尔时代的芯片创新开辟新路径。
责任编辑:chenguang
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