英诺赛克CEO吴金刚：GaN不仅仅是一次发展机遇，更是一次技术革命

2025年4月23日，2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会重磅开幕！本届展会在前两届成功举办的基础上继续提档升级。作为重头戏，聚焦化合物半导体产业技术发展的高峰论坛将延续往年的多元化架构，以1场主论坛、11场平行论坛，逾15场同期活动的强大阵容，携手全球相关领域权威科研机构、领军企业及行业专家代表，共同探索化合物半导体产业未来发展方向。
 
在上午的大会主论坛中，英诺赛克CEO吴金刚带来了主题为《GaN出美好芯未来》的演讲，重点探讨了第三代半导体GaN的突破与未来发展前景。
 
吴金刚首先分析了“为什么选择GaN？”他指出，伴随着第四次工业革命推动的数字化与智能化浪潮，功率半导体市场规模呈现指数级增长，产品性能大幅提升。在消费电子、智能汽车、光伏储能、数据计算等领域，GaN FET有望替代传统的Si MOS，成为市场的重要力量。
 
在技术性能方面，与传统Si MOSFET的FOM参数对比，150V/650V电压等级的GaN具有显著优势，分别提升了约7倍和8倍。未来，GaN FET的成本将持续下降，预计到2028年其价格将接近或低于传统Si基MOS FET。
 
根据沙利文咨询公司的统计，预计GaN功率半导体市场将呈现指数级增长，预计从2024年的人民币32.28亿元增长至2028年的人民币501.4亿元，年均增长率高达98.5%。
 
吴金刚强调，GaN不仅仅是一次发展机遇，更是一次深刻的技术革命。

GaN在推动AI时代能源革命的过程中发挥着核心作用。随着AI计算需求的迅速增长，GaN技术将在高效能芯片和数据中心领域中扮演至关重要的角色。
 
特别是在新能源领域，GaN成为储能、光伏等应用的不可替代技术方案，其高效率、低能耗和小型化的优势显著提升了系统的性能和经济效益。在48V数据中心架构中，GaN提供了显著的效率提升和节能优势。此外，在人形机器人电机驱动应用中，GaN凭借其独特的材料特性，显著提高了系统能效，推动了机器人技术的革新。GaN解决了机器人关节电机驱动的两大关键痛点：一是通过提高开关频率来减少电解质电容，使体积缩小30%，提升可靠性，满足高精度动态控制需求；二是降低开关和导通损耗，提高电机系统转换效率超过5%，延长机器人的续航时间，同时提升功率密度30%。
 
目前，英诺赛克的GaN芯片累计出货量已超过14亿颗。公司提供的GaN产品组合包括高性能半桥IC和超低导通电阻的GaN分立器件，涵盖不同的电压和电阻规格，如100V、3.2mΩ（5x6mm）和100V、1.5mΩ（5x6mm），并采用双面散热设计，以优化器件效率。
 
最后，吴金刚对GaN的发展路径进行了展望。他指出，企业需要抓住技术窗口期，快速占领市场份额。GaN的未来发展需要从三个方面入手：首先是产业化模式，包括IDM模式、对标工艺、CMOS工艺和扩展能力等；其次是构建完善的行业生态系统，包括上游设备、材料、技术支持，以及下游制造、封装和IC设计等；最后，企业还需要制定有效的市场战略，建立具有竞争力的产业生态，推动GaN技术的广泛应用，提升市场占有率。