2026国际RF-SOI论坛，沪硅产业李炜解读SOI材料发展新机遇

9月21日，在2026国际RF-SOI论坛上，上海硅产业集团股份有限公司（NSIG）常务副总裁李炜发表了题为《Silicon Powers a Brighter Future》的演讲，从市场需求、硅光价值链、沪硅产业的SOI布局及战略规划四个维度，分享了AI时代光互连与SOI材料的产业机遇。


李炜在演讲中援引Dell'Oro 2026年8月最新预测：全球数据中心资本开支到2030年将突破3万亿美元。数据显示，这一数字从2024年约4000亿美元，快速攀升至2026年7700亿美元、2028年1.5万亿美元、2029年2.2万亿美元，2030年达到3万亿美元。


李炜表示：“AI投资不仅驱动GPU需求，也在同步拉动服务器、存储、网络、供电/冷却以及高速光互连等基础设施。”他进一步指出，传统离散光器件正面临功耗、成本和形态三大挑战：多耦合接口带来更高光损耗和温控功耗，单元成本高且封装劳动密集，传统路线图还导致模块形态增大，难以适配紧凑光模块。

从可插拔到OIO，光模块持续向ASIC靠近

在光模块演进路径上，李炜分享了从可插拔、NPO、CPO到OIO的趋势。可插拔光模块位于前面板，电距离大于100mm，信号衰减严重，需要DSP；NPO将模块移至主板靠近ASIC，电距离缩短至20—50mm，信号完整性和密度显著改善；CPO将光引擎与ASIC共封装在同一基板上，电距离小于10mm，实现超高密度和低损耗互连；OIO则走向Die-to-Die互连，达到微米级，具备超低损耗并摆脱面板限制。李炜总结道：“光模块从可插拔走向NPO、CPO和OIO，本质上是让光不断靠近ASIC，最终突破电I/O带宽和功耗墙，支撑下一代HPC与AI。”


李炜认为，硅光正通过三大优势走向规模化：一是将波导、调制器、(解)复用器和光电探测器集成到单个PIC，减少离散元件和复杂光学对准；二是借助PDK、MPW、200mm/300mm晶圆制造和晶圆级测试，建立可重复的设计与代工量产模式；三是平台支持400G、800G、1.6T、3.2T，并延伸至CPO和Optical I/O。


市场层面，高盛2026年9月预测：全球光模块出货TAM将从2025年约4.49亿只增至2028年约7.29亿只，硅光渗透率从6%升至18%，硅光光模块出货量到2028年将接近1.28亿只，800G及以上硅光渗透率有望超过60%。


在李炜看来，SOI是硅光的理想材料底座：顶层硅折射率高达3.47，作为波导芯层；埋氧层折射率1.44，作为包层；全内反射是光子传输的核心机制。SOI兼具晶圆级集成、CMOS代工兼容、低波导损耗和高折射率对比等特性。他分享道：“SOI把高折射率差的光子限制能力与CMOS制造体系结合在一起，是硅光从实验室走向大规模量产不可替代的一环。”


演讲中，李炜梳理了NSIG的SOI发展历程：2001年新傲科技成立，成为中国大陆首家SOI晶圆制造商；2014—2015年实现200mm RF和功率SOI晶圆量产，服务全球市场；2022年新傲芯翼成立，产出中国首片300mm SOI晶圆；2026年实现300mm SOI晶圆量产。


目前，NSIG的300mm SOI产品组合覆盖RF-SOI、HV-SOI、FD-SOI、Photonic-SOI和MEMS，其中RF-SOI强调高线性、低插损，Photonic-SOI以顶层硅作为波导，MEMS则利用顶层硅可控结构。产品覆盖150mm、200mm和300mm，满足从超低功耗逻辑到高性能光学和功率电子的全系列产品需求。


“以硅为始，不忘初心。”李炜在演讲最后表示，硅光与SOI材料平台将继续支撑AI时代更高速、更低功耗、更高密度的光互连，为产业开启更明亮的未来。