Tower：硅光与RF-SOI双轮驱动，持续投入加码产能

9月21日，在2026国际RF-SOI论坛上，Tower Semiconductor中国区销售总监王敏带来《从硅基射频前端到下一代硅光》的主题演讲，分享了公司在硅光和RF-SOI领域的最新进展与战略布局。
 

王敏表示，Tower目前49%的营收来自基础设施，其中SiGe/SiPho是最大增长引擎。
 

据Lightcounting报告指出，光模块市场预测在两年内增长了10倍，2026年报告较2024年报告大幅上修。“硅光真的是一个非常、非常热的方向。”王敏分享道。Tower自2023年开始量产第一批硅光芯片，其SiPho晶圆启动量从2023年到2026年快速增长，覆盖400G、800G和1.6T。
 

在光模块演进路径上，Tower分析了从可插拔到LPO、NPO、CPO的趋势。LPO使用SiGe TIA/Driver加均衡器替代DSP，实现更低成本、更低功耗和更低延迟；NPO将LPO靠近ASIC，进一步改善带宽；CPO则进一步优化功耗和带宽，但不可插拔，成本结构尚不清晰，基础设施需要改变。王敏判断：“2027年将是NPO的元年，CPO的量产时间则目前尚不明确。”
 

 
NPO新市场：6.4Tbs光学引擎，Tower技术全覆盖
 
在分享中，王敏还特别介绍了NPO市场：16或更多通道，每通道200Gbs起，小可插拔形态，需要Tx和Rx PICs、许多高速EICs和激光器，以及2.5或3D封装。他展示了6.4Tbs NPO光学引擎，尺寸仅20mm×20mm。“Tower拥有所有组件的理想技术。”他强调。
 

为应对硅光需求指数级增长，Tower已经宣布约50亿美元的Capex投资，大幅增加产能。其全球制造设施中，以色列、Newport Beach、San Antonio提供8寸SiPho/SiGe，日本Uozu提供12寸SiPho/SiGe。他提醒：“对于SOI从业者，你会注意到晶圆消耗的指数级增长。”
 

 
RF-SOI：持续投入，300mm RSC与卫星接收器新机会
 
在RF-SOI方面，Tower持续在技术和产能上增加投入。据介绍，其65RSC技术是业界领先的300mm RF SOI，技术路线从CS18QT1、QT8、TPS90、RSA、RSB2、QT9到QT10、TPS65RSC，覆盖200mm和300mm。意大利Agrate的F10工厂将专用于RF SOI的生产，确保RFSOI的产能供应。
 

同时，王敏还分享了与Broadcom合作开发Wi-Fi 7 RF FEM，以及与pSemi在IMS 2025获奖的宽带RF开关性能突破。
 
此外，Tower正将RF SOI拓展至卫星接收器领域。地面接收机用RF SOI/SiGe，卫星互联网每个终端需要250个IC，创造巨大机会。“目前主要用SiGe，我们正在Tower RF SOI技术上做原型。”王敏补充，Tower还与Renesas合作制造SiGe基波束成形IC。
 
最后，王敏还介绍了Tower的RF-SOI产能：以色列、Newport Beach、San Antonio三座8寸工厂，日本Uozu和意大利Agrate两座12寸工厂，其中Agrate专用于RF SOI。他强调：“这体现了Tower对RF-SOI长期的投入和承诺。”