外媒:英特尔第一个代工客户确定
来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank) 综合自semiconductor-digest ,谢谢。



英特尔EMIB封装深度解读
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晶圆级扇出重新分布,使用模塑料的重构晶圆基板作为裸片之间互连的表面(2D)
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用于重新分配的单独的基于硅的互连层,可以是嵌入有机封装(2.5D)中的全尺寸硅中介层或die到die的硅桥
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垂直堆叠的面对面或背对背芯片,利用芯片焊盘的混合键合和直通孔(3D)
EMIB的制造
EMIB物理实施
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到裸片的凸点间距为55um
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2um线+ 2um间距,金属厚度为2um
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4um间距,每毫米“ beachfront”具有250根导线
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每个EMIB金属层之间的电介质厚度为2um
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EMIB桥上的4个金属层M1和M3专用于GND平面
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通常在M2和M4上利用3信号+ 1接地屏蔽图案的信号层
EMIB电气特性
英特尔针对EMIB互连发布了详细的电气分析,评估了各种信号接地屏蔽组合和导线长度的插入损耗和串扰。
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一个简单的输出驱动器(R = 50ohms,C = 0.5pF)
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无端接的接收器(C = 0.5pF)
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四层EMIB金属叠层,介电常数= 4.0
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嵌入式桥上方的顶部封装金属平面
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1V信号摆幅,具有200mV垂直睁开的接收器灵敏度(为无端接的电容式接收器合并了近端和远端串扰)
EMIB设计服务
EMIB未来发展
总结
•现有有机包装技术的扩展
•支持大芯片数和大封装配置
•比全尺寸硅中介层的成本更低
•使用简单的驱动器/接收器电路,支持相邻芯片之间的高数据速率信令
•通过为该链接定制桥来分别优化每个冲模-骰子链接的能力
•芯片凸块和封装组装过程中的额外复杂性
•封装,die和EMIB桥之间的热膨胀系数(CTE)系数不同
原文链接:
https://www.semiconductor-digest.com/amazon-aws-is-intel-foundry-services-first-emib-packaging-customer/
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