普莱信成立TCB实验室，提供CoWoS/HBM/CPO/oDSP等从打样到量产的支持
2025-08-07
09:00:47
来源: 互联网
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为响应客户对先进封装技术的迫切需求，国内热压键合（TCB）设备领先企业普莱信正式成立TCB实验室。该实验室旨在为客户提供覆盖研发、打样至量产的全闭环支持，重点服务于四大前沿封装领域：一、2.5D封装：如CoWoS-S、CoWoS-L封装等；二、3D封装：如HBM的多层DRAM芯片堆叠键合；三、光电共封（CPO）、oDSP和光模块相关封装：如PIC（光子芯片）/EIC（电芯片）与ASIC（电子交换芯片）异质集成；1.6T光模块的oDSP（数字信号处理器），随着芯片变大，传统的SMT+回流焊工艺容易导致翘曲，采用TCB热压键合工艺，能完美解决大芯片翘曲问题；四、特种需求：军工/医疗芯片的抗冲击封装、低温键合等定制化开发。
TCB 成为突破先进封装瓶颈的关键
随着芯片制程迭代与算力需求爆发，高端芯片（如GPU H100/H200、HBM及oDSP等）正向更大尺寸、更高I/O密度、更小微凸点（Bump）方向演进。传统倒装回流焊工艺在贴装精度、翘曲控制、热漂移、空洞率等的不足，导致良率低、失效多，尤其当Bump间距＜50µm或芯片面积增大时失效风险剧增。热压键合（TCB）通过局部加热头（Bond Head）对单个凸点精准施加热量（150–300℃）与压力（10–200 MPa），在惰性气体腔体内实现微米级对位与键合，实时监控温度-压力-位移曲线，并支持无助焊剂（Fluxless）工艺，形成可靠互连，成为突破先进封装瓶颈的核心方案。
TCB相对于倒装回流焊的优势对比
TCB技术的核心优势：一、高密度互连能力：支持每平方毫米10,000个凸点（倒装焊仅~2,000），满足HBM多层DRAM芯片堆叠键合、CoWoS硅中介层等2.5D/3D封装需求； 二、翘曲抑制：局部加热+共面性校准（误差＜3µm），解决大尺寸芯片（如英伟达H系列＞800mm²）因CTE差异导致的边缘脱焊问题； 三、工艺灵活性：兼容TC-NCF和MR-MUF等不同键合材料，适配多场景； 四、迈向先进制程：支持下一代HBM4的无助焊剂键合，为3µm以下凸点间距铺路。
Loong系列TCB设备助力国产芯突破
随着AI芯片与HBM需求爆发（TCB设备市场2027年将达15亿美元），传统回流焊在精度与良率上已无法支撑摩尔定律延续。TCB通过局部热压控制实现微米级互连，成为HBM堆叠、大算力芯片封装的刚需工艺。普莱信凭借Loong系列打破国际垄断，其开放实验室为CoWoS、CPO及特种领域提供快速打样通道，是国内发展先进封装的关键支点。未来随着HBM层数增至16+层及Bump直径进一步微缩，TCB技术壁垒将持续提升，而国产设备的成熟将加速本土产业链话语权重构。
TCB 成为突破先进封装瓶颈的关键
随着芯片制程迭代与算力需求爆发，高端芯片（如GPU H100/H200、HBM及oDSP等）正向更大尺寸、更高I/O密度、更小微凸点（Bump）方向演进。传统倒装回流焊工艺在贴装精度、翘曲控制、热漂移、空洞率等的不足，导致良率低、失效多，尤其当Bump间距＜50µm或芯片面积增大时失效风险剧增。热压键合（TCB）通过局部加热头（Bond Head）对单个凸点精准施加热量（150–300℃）与压力（10–200 MPa），在惰性气体腔体内实现微米级对位与键合，实时监控温度-压力-位移曲线，并支持无助焊剂（Fluxless）工艺，形成可靠互连，成为突破先进封装瓶颈的核心方案。
TCB相对于倒装回流焊的优势对比
TCB技术的核心优势：一、高密度互连能力：支持每平方毫米10,000个凸点（倒装焊仅~2,000），满足HBM多层DRAM芯片堆叠键合、CoWoS硅中介层等2.5D/3D封装需求； 二、翘曲抑制：局部加热+共面性校准（误差＜3µm），解决大尺寸芯片（如英伟达H系列＞800mm²）因CTE差异导致的边缘脱焊问题； 三、工艺灵活性：兼容TC-NCF和MR-MUF等不同键合材料，适配多场景； 四、迈向先进制程：支持下一代HBM4的无助焊剂键合，为3µm以下凸点间距铺路。
Loong系列TCB设备助力国产芯突破
随着AI芯片与HBM需求爆发（TCB设备市场2027年将达15亿美元），传统回流焊在精度与良率上已无法支撑摩尔定律延续。TCB通过局部热压控制实现微米级互连，成为HBM堆叠、大算力芯片封装的刚需工艺。普莱信凭借Loong系列打破国际垄断，其开放实验室为CoWoS、CPO及特种领域提供快速打样通道，是国内发展先进封装的关键支点。未来随着HBM层数增至16+层及Bump直径进一步微缩，TCB技术壁垒将持续提升，而国产设备的成熟将加速本土产业链话语权重构。
责任编辑：Ace
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