芯原戴伟民：FD-SOI大有可为，芯原IP持续突破！

10月23日，第九届上海FD-SOI论坛在上海隆重召开。本次活动由芯原股份（VeriSilicon）、新傲科技（Simgui）、新傲芯翼（Simwings）主办，SEMI中国（SEMI China）、SOI国际产业联盟SOI Industry Consortium协办。

在本次活动现场，汇聚了来自全球领先的IDM、设计公司、代工厂、系统厂商和半导体产业链参与者，包括行业专家、学者、企业高管和工程师齐聚一堂，共同探讨了FD-SOI工艺的技术优势和发展趋势，以及FD-SOI的设计实现等议题，并分享了他们的深刻见解和丰富经验。

芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民在致辞中介绍了FD-SOI和FinFET的发展历程。其中，FD-SOI工艺的核心特点在于其全耗尽型晶体管结构和超薄绝缘层设计，这使其在性能和功耗方面具有显著优势。

芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民

据介绍，FD-SOI技术通过在硅衬底和顶层硅之间引入一层绝缘层，实现了源漏结深的自然限定，从而有效降低了电路的静态功耗。FD-SOI技术还具备卓越的晶体管性能，包括先进的功率、性能、面积和成本折衷，以及后向偏置能力、良好的晶体管匹配、超低的辐射灵敏度和非常高的本征晶体管速度



回顾FD-SOI产业的发展历程，戴伟民介绍了FD-SOI发展过程中的里程碑事件以及芯原股份在FD-SOI工艺方面的进程和布局。

·  早在2012年，ST推出了28纳米FD-SOI平台；
·  2013年，Soitec突破FD-SOI高品质基板的技术瓶颈、芯原和ST合作开发FD-SOI、首届上海FD-SOI论坛召开；
·  2014年，三星授权ST 28纳米FD-SOI处理平台、芯原和三星合作开发FD-SOl技术、上海新傲获得Soitec智能切割技术授权；
·  2015年，GF推出22FDX、22nm FD-SOI铸造平台、芯原与GF在FD-SOI技术上展开合作；
·  2016年，上海NSIG宣布收购Soitec14.5%的股权；
·  2017年，GF推出FDXcelerator；
·  后续，包括恩智浦、索尼、Dream Chip、瑞芯微、复旦微电子、湖南格科微电子等基于FD-SOI技术的芯片相继推出...



可见，多年来FD-SOI实现了快速发展和突破。

自2013年以来，芯原已连续八届主办FD-SOI论坛，汇聚了产业链公司和行业嘉宾共同探讨了FD-SOI技术的市场现状、技术优势和未来发展方向，以及基于FD-SOI技术的先进SoC设计及其广泛应用。

在FD-SOI工艺方面，芯原拥有丰富的22nm FD-SOI设计项目实现经验，为国内外知名客户提供基于FD-SOI工艺的芯片设计服务，已经为国内外知名客户提供了很多FD-SOI项目的一站式设计服务，其中多个项目已经进入量产。

芯原公司持续针对FD-SOI工艺技术进行相关研发投入，在FD-SOI工艺上拥有了较为丰富的IP积累。据戴伟民介绍，芯原在22nm FD-SOI工艺上开发了59个模拟及数模混合IP，种类涵盖基础IP、数模转换IP、接口协议IP等，并已累计向国内外40多家客户授权了近260多个FD-SOI IP核。

同时，芯原在FD-SOI工艺上还布局了较为完整的射频IP和基带IP产品及平台方案，支持双模蓝牙，低能耗蓝牙BLE，NB-IoT，多通道GNSS，802.11ah及802.15.4g等物联网连接技术。所有射频IP已完成芯片流片验证，大部分已在客户芯片中与基带IP集成，形成完整的连接技术方案，应用于智能家居，智能穿戴，高精度定位等领域。目前NB-IoT，低能耗蓝牙BLE，GNSS，802.11ah和802.15.4g射频IP都已有客户授权。




截至目前，基于芯原22纳米FD-SOI的Verisilicon交钥匙服务，累计出货量超过6000万，已实现较大进展和突破。

此外，芯原还在打造首个基于体偏置（Body-biasing）的SoC设计——下一代物联网单芯片解决方案：
·  反向体偏置：待机监控模块，泄漏功率低10倍
·  正向体偏置：具有更高性能和更低动态功耗的基带模块
·  关机：待机状态下，可以关闭射频模块和基带模块



戴伟民表示，FD-SOI已获得广泛的市场关注，FD-SOI的市场规模预计将从2022年的9.3亿美元增加到2027年的40.9亿美元，复合年增长率为34.5%。

在此趋势下，产业界都在加大相关投入。2022年7月12日，ST和GF宣布将在法国建立一个新的12英寸晶圆Fab，用于12nm FD-SOl，以推进FD-SOI生态系统的建设和完善。

2024年3月19日，ST与三星联手推出18纳米FD-SOl嵌入式相变存储器(ePCM)技术，显著提高性能，降低功耗，更大的内存大小、提升模拟和数字外围设备的集成程度；基于新技术的首款下一代STM32单片机将于2024年2H开始取样，并计划于2025年2H投产。

2024年6月11日，CEA-Leti(法国)宣布启动FAMES试验线，该试验线将开发包括10纳米和7纳米FD-SOI在内的新技术。这一举措符合《欧盟芯片法案》的雄心和规划，电子系统价值链中的43家公司正式表示支持FAMES计划。

在此趋势下，FD-SOI将迎来新的发展及速度，芯原也将持续布局，加强在FD-SOI领域的创新和布局力度，提升行业竞争力。