新微半导体宣布推出650V E-mode氮化镓功率工艺代工平台
2025-03-11
17:23:36
来源: 新微半导体
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近日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）正式推出650V硅基氮化镓增强型（E-mode）功率工艺代工平台。该平台凭借高频运行效率、超低栅极电荷及低导通电阻等卓越特性，为新一代高速、高效功率器件应用提供了优异的解决方案。基于该工艺平台代工的产品可广泛应用于消费电子、工业自动化、数据中心及新能源汽车等领域，展现出强大的市场潜力。
该工艺平台采用P帽层栅极和基于化学机械平坦化的钨栓/铝集成电路互联工艺，实现了氮化镓形貌的精准控制与低表面态。HTRB/HTGB/DHTOL等关键可靠性指标符合JEDEC标准，确保了该平台制造的器件能够长期稳定运行。
此外，通过该平台制造的器件性能极具竞争力：低比导通电阻（Rsp）约为350mΩ·mm²，优异的品质因数（Ron·Qg）~300mΩ·nC,实现了低开关损耗与导通损耗的双重突破，为客户带来了显著的成本效益和性能提升。
新微半导体是一家化合物半导体的代工企业，为客户提供前期设计支持服务，确保产品性能与可靠性达到要求。目前，基于该平台制造的样片性能参数已达到业内先进水平，并通过多家客户的严苛测试，有效加速客户产品的商业化进程。
未来，新微半导体将进一步加大研发投入，提供更具成本效益和高效能的解决方案，进一步提升产品可靠性，满足市场对更快、更轻和更具能源效率电子产品的需求。
该工艺平台采用P帽层栅极和基于化学机械平坦化的钨栓/铝集成电路互联工艺，实现了氮化镓形貌的精准控制与低表面态。HTRB/HTGB/DHTOL等关键可靠性指标符合JEDEC标准，确保了该平台制造的器件能够长期稳定运行。
此外，通过该平台制造的器件性能极具竞争力：低比导通电阻（Rsp）约为350mΩ·mm²，优异的品质因数（Ron·Qg）~300mΩ·nC,实现了低开关损耗与导通损耗的双重突破，为客户带来了显著的成本效益和性能提升。
新微半导体是一家化合物半导体的代工企业，为客户提供前期设计支持服务，确保产品性能与可靠性达到要求。目前，基于该平台制造的样片性能参数已达到业内先进水平，并通过多家客户的严苛测试，有效加速客户产品的商业化进程。
未来，新微半导体将进一步加大研发投入，提供更具成本效益和高效能的解决方案，进一步提升产品可靠性，满足市场对更快、更轻和更具能源效率电子产品的需求。
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