正在崛起的先进封装新贵，珠海天成先进的出击

在人工智能火热带旺了GPU之后，不但英伟达这些芯片公司获得了巨大机会，台积电和日月光这些制造企业的表现也水到船高。而在这背后，类似CoWoS这样的先进技术贡献功不可没。
 
作为摩尔定律放缓下的大救星，先进封装在过去几年的受关注度日益高涨。知名分析机构Yole的数据显示，在电信和基础设施以及移动和消费市场等应用的推动下，先进封装市场规模将从2024年的80 亿美元，增长到 2030 年将超过 280 亿美元，期间的复合年增长率高达23%。
 
瞄准了这个机会，领先的晶圆厂和封装厂正在大举投入其中。近年来成立的珠海天成先进半导体科技有限公司（简称：天成先进）也正在成为这个赛道的后起之秀。在日前举办的2025深圳国际电子展暨嵌入式展（elexcon 2025）上，天成先进副总经理蒲晓龙先生介绍了公司在这个领域的最新进展。
 
据介绍，珠海天成先进半导体科技有限公司成立于2023年4月，是一家专注于为用户提供完善的12英寸3D/2.5D-TSV、2.5D-Fanout、UHD-FCBGA系统集成与晶圆级先进封装解决方案的企业。具体而言，公司致力于半导体晶圆立体集成技术的研发与创新，并建立了业界首个用中文命名的晶圆级三维集成技术体系——“九重”，当中包括了“纵横（2.5D）”、“洞天（3D）”、“方圆（Micro Assembly）”三大技术系列。
 

 
“之所以我们把技术命名为九重，这和我们团队核心技术来自古城西安有着莫大的关系。其实，是因为这个词的本意是层层交织，直观地体现了先进封装的形态。”蒲晓龙先生说。他进一步指出，纵横2.5D，也体现了2.5D封装的纵横交错。
 
天成先进解析说，所谓2.5D，是一种通过中介层(Interposer)实现多个芯片高密度互连的先进封装技术。中介层作为芯片与基板之间的桥梁，通过TSV和RDL实现高密度互连。具体而言，则是指通过TSV、TMV、RDL、uBump、Chip to Wafer 、 Wafer molding 等工艺技术，以 Si 基、有机 RDL 或混合 RDL 等 Interposer 上集成多颗芯片的方式，实现产品高互联密度、高带宽、高速和小尺寸的集成，缩短产品设计周期和降低设计难度。
 
通过这样的方式，打破了晶圆制造技术中芯片尺寸受到光罩尺寸限制的问题，并且成倍提高了系统集成度与设计灵活性、降低了制造成本与功耗、增强了系统性能与散热性能。得益于这样的领先优势，天成先进的2.5D集成技术能为高性能计算、人工智能、网络通信和消费电子等多个领域提供广泛的支持。
 
针对不同的应用需求，天成先进在纵横方面也提供了包括了界（2.5D Si Integration）、图（2.5D Si-less lntegration）和域（2.5D Mix Integration）在内的解决方案。
 

 
洞天3D则是天成先进推出的先进3D封装技术（又称为：三维叠层芯片集成技术）。在实现方式上，是指通过TSV、晶圆重构和堆叠等工艺技术，以3D TSV Si 堆叠、重构堆叠、 Si Interposer 堆叠等方式，实现存储芯片、裸芯片等3D集成，增加 TSV 立体集成工艺兼容性和灵活性
 
作为一种先进的半导体封装技术，洞天3D通过在垂直方向上叠放多个芯片，并利用TSV(Through Silicon Via)即硅穿孔等先进微互连技术实现芯片间的高效垂直电气互连，显著提升了系统的集成度和性能，最大限度减小了封装尺寸，具广泛应用于高性能计算、人工智能、存储器、5G通信、图像传感器等多个领域，并展现出广阔的应用前景。
 
如图所示，“洞天3D”包括了集（3D TSV integration）、汇（3D TSV Ultra integration）和
合（3D TSV Lite integration）。
 

 
至于方圆，则是天成先进提供的一种专为高性能芯片设计的先进封装方法，结合了超高密度和精细间距的特性，它通过缩小焊盘间距和优化焊球布局，实现了高连接密度、精细布线以及出色的电气性能。具体而言，则是通过WireBond、Flipchip、双面阻容贴片、TIM 及铟片散热等工艺技术，实现 Substrate 上不同芯片、 Compound Die 和无源器件等高密度集成，提供2.5D/3D集成的一站式封装服务。
 
如图所示，方圆解决方案包括了络（UHD-FCBGA）、阵（FCBGA）和列（WBBGA），能为多样化的应用提供支持。天成先进指出，这一技术不仅支持芯片的小型化与高集成度，还确保了良好的散热和高可靠性，因此广泛应用于高性能计算、人工智能、网络通信、汽车电子及消费电子等领域。
 

 
在这些领先解决方案的支持下，天成先进正在成为中国先进芯片的重要依靠。