戴伟民：FD-SOI赛道前景广阔，芯原IP储备、量产项目与市场机遇共振

9月25日，第十届上海FD-SOI论坛在上海召开。本次论坛由芯原股份、新傲科技和新傲芯翼主办，SEMI中国和SOI国际产业联盟协办。

在论坛现场，全球领先的IDM企业、芯片设计公司、晶圆代工厂、系统厂商及半导体产业链各环节参与者齐聚一堂。来自行业的专家学者、企业高管与资深工程师围绕FD-SOI工艺的技术核心优势、未来发展趋势，以及设计落地实践等关键议题展开深度探讨，并分享了兼具前瞻性的深刻见解与贴合产业的丰富实践经验。

芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民在致辞中介绍了FD-SOI和FinFET的区别，以及FD-SOI的发展历程和关键里程碑。

芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民

据介绍，FD-SOI工艺的核心特色在于采用全耗尽型晶体管结构与超薄绝缘层设计，这一独特架构使其在性能表现与功耗控制上具备突出优势。

具体来看，FD-SOI技术通过在硅衬底与顶层硅之间嵌入一层绝缘层，可自然限定源漏结深，进而大幅降低电路静态功耗；同时，该技术还拥有卓越的晶体管性能，不仅能实现先进的功率、性能、面积与成本平衡，更具备后向偏置能力、优异的晶体管匹配度、超低辐射灵敏度，以及极高的本征晶体管速度。

在分享中，戴伟民不仅回顾了FD-SOI产业的发展历程与关键里程碑事件，还介绍了芯原股份在FD-SOI行业发展过程中的积极参与和布局。

从产业发展脉络来看：
· 2012年，ST率先推出28nm FD-SOI平台，为技术落地奠定基础；
· 2013年成为产业推进关键节点：Soitec突破FD-SOI高品质基板技术瓶颈，芯原与ST开启FD-SOI合作开发，首届上海FD-SOI论坛亦于同年召开；
· 2014年合作与技术授权持续深化：三星向ST授权28nm FD-SOI处理平台，芯原与三星携手开发FD-SOI技术，上海新傲则获得Soitec智能切割技术授权；
· 2015年工艺节点进一步升级：GlobalFoundries（格罗方德）推出22FDX这一22nm FD-SOI铸造平台，芯原也与GF在该技术领域展开合作；
· 2016年，上海NSIG宣布收购Soitec 14.5%股权，深化产业链联动；
· 2017年，GlobalFoundries推出FDXcelerator，推动技术应用加速；
· 此后，恩智浦、索尼、Dream Chip、瑞芯微、复旦微电子、格科微电子等企业纷纷推出基于FD-SOI技术的芯片产品，产业生态持续丰富；
· 2022年，GF与ST加码布局，宣布将在法国建立一个新的12英寸晶圆Fab，用于12nm FD-SOl，以推进FD-SOI生态系统的建设和完善。

值得关注的是，2024年FD-SOI产业依旧保持快速发展态势：ST与三星联合推出18nm FD-SOI技术，CEA-Leti也发布了10nm、7nm FD-SOI相关研究进展及试点线成果。


不难看出，多年来FD-SOI技术已实现跨越式发展与关键突破。

自2013年起，芯原已连续九届主办FD-SOI论坛，持续汇聚产业链上下游企业与行业嘉宾，共同探讨FD-SOI技术的市场现状、核心优势与未来发展方向，以及基于该技术的先进SoC设计与多元应用场景。

在FD-SOI工艺实践层面，芯原拥有丰富的22nm FD-SOI设计项目落地经验，可为国内外知名客户提供基于该工艺的芯片设计服务，目前已完成多个项目的一站式设计交付，其中多项成果已进入量产阶段。

芯原始终持续加大FD-SOI工艺技术的研发投入，在该领域积累了丰厚的IP资源。据戴伟民介绍，芯原已在22nm FD-SOI工艺上开发出60余个模拟及数模混合IP，覆盖基础IP、数模转换IP、接口协议IP等多个品类，累计向国内外45家客户授权超过300个FD-SOI IP核。



与此同时，芯原还在FD-SOI工艺上构建了完整的射频IP与基带IP产品及平台方案，可支持双模蓝牙、低能耗蓝牙BLE、NB-IoT、WiFi6、多通道GNSS、802.11ah及802.15.4g等物联网连接技术。目前，所有射频IP均已完成芯片流片验证，大部分已与基带IP集成于客户芯片中，形成完整连接技术方案，广泛应用于智能家居、智能穿戴、高精度定位等领域；其中NB-IoT、低能耗蓝牙BLE、GNSS、802.11ah及802.15.4g射频IP已实现客户授权。

截至目前，依托芯原22nm FD-SOI工艺的Verisilicon交钥匙服务，相关产品累计出货量已突破1亿颗，在技术落地与市场应用上取得显著进展。



此外，芯原还在着力打造业内首个基于体偏置（Body-biasing）技术的SoC设计，开发下一代物联网单芯片解决方案，其核心特性包括：
· 反向体偏置：应用于待机监控模块，可将泄漏功率降低10倍；
· 正向体偏置：赋能基带模块，实现更高性能与更低动态功耗；
· 关机模式：处于待机状态时，可关闭射频模块与基带模块以优化能耗。


上文提到，2024年FD-SOI行业取得了诸多进展，具体来看：

2024年3月，ST与三星携手推出18nm FD-SOI嵌入式相变存储器（ePCM）技术，相较前代技术实现显著升级——性能与能效均得到大幅提升，片上存储容量进一步扩容，同时模拟与数字外围设备的集成度也显著增强。基于该新技术打造的首款下一代STM32单片机，计划于2024年下半年启动样品交付，并预计在2025年下半年正式进入量产阶段。

同年6月，法国CEA-Leti宣布启动FAMES试验线，该试验线将重点攻关10nm、7nm节点的FD-SOI等前沿技术，同时涵盖嵌入式非易失性存储器、3D集成、射频元件等关键领域的研发。这一布局深度契合《欧盟芯片法案》中强化半导体技术研发与产业主权的战略规划，目前已有电子系统价值链上的43家企业明确表示支持该计划。


整体来看，在全球技术突破与产业协同的双重驱动下，FD-SOI产业链上下游正迎来发展加速期。芯原也将顺势而为，持续深化在FD-SOI领域的技术创新与战略布局，进一步提升核心竞争力。



在业界的争相关注和投资下，FD-SOI已获得广泛的市场关注。戴伟民在分享中指出，FD-SOI的市场规模预计将从2022年的9.3亿美元增加到2027年的40.9亿美元，复合年增长率为34.5%。可见FD-SOI市场潜力巨大。