聚焦FD-SOI，意法半导体披露18nm工艺技术优势与进展

9月25日，在第十届上海FD-SOI论坛现场，意法半导体（ST）执行副总裁，中国区总裁曹志平分享了ST如何以FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）推动行业和技术创新。

意法半导体（ST）执行副总裁，中国区总裁曹志平

曹志平指出，全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术凭借独特的结构设计，在能效提升、模拟性能优化与抗干扰能力增强三大维度具备显著优势，尤其适配车规级、工业级等对稳定性要求严苛的关键应用场景。更关键的是，该技术无需大幅调整现有制造流程与设计环节，可充分复用当前EDA工具与设备资源，大幅降低技术落地的成本与难度，为产业链快速推进应用创造有利条件。


在技术落地成果方面，ST已基于28nm FD-SOI工艺实现车规级MCU量产。实测数据显示，该类产品在汽车运行状态下漏电率降低35%、功耗减少50%，待机模式下功耗更是锐减近99%；同时，FD-SOI技术固有的抗辐射特性，能有效减少甚至规避安全关键环境中辐射诱发的错误，进一步保障车载系统稳定性。

存储技术融合是ST FD-SOI产品的另一大亮点。公司创新性地将相变存储器（PCM）与FD-SOI技术结合，推出基于Arm架构的Stellar系列车规MCU产品，该系列不仅具备高性能计算、多重安全防护、高效数据管理能力，更延续了FD-SOI技术的卓越能效，可满足汽车电子、工业控制等多领域复杂应用需求。此外，ST基于28nm与18nm FD-SOI工艺开发的MCU，存储密度可达同类竞品两倍以上，重新定义了汽车MCU的嵌入式NVM概念，为高存储需求的车载智能座舱、工业物联网设备提供了更优解决方案。


技术迭代与供应链保障层面，ST正与三星联合开发18nm FD-SOI技术。相较于前代工艺，18nm FD-SOI在能效与成本平衡上优势更突出，未来将通过韩国、法国双晶圆厂实现产品供应，凭借双产地布局强化供应链稳定性，从容应对地缘政治、产能波动等潜在风险。值得关注的是，18nm FD-SOI技术性能功耗比提升超50%，存储密度与数字密度分别实现2.5倍、3倍增长，同时将噪声系数改善3dB，在高频加速器、低功耗物联网设备、大芯片集成存储等领域应用潜力巨大，目前已向部分核心客户提供样品，预计明年正式进入量产阶段。

除车规级MCU外，ST的FD-SOI技术应用已拓展至更多领域：28nm FD-SOI工艺已落地成像传感器与车载雷达技术，相关产品性能与可靠性获市场认可；同时，公司与全球低轨卫星企业展开合作，基于FD-SOI技术的卫星用芯片出货量持续增长，未来市场前景广阔。


封装技术创新为FD-SOI产品量产提供助力。ST采用面板级封装（PLP，Panel Level Packaging）技术提升量产效率，依托法国本土工厂及多场地协同生产能力，实现先进光学产品与数字芯片的高效研发与规模化量产，进一步缩短产品交付周期。



业务模式上，ST虽以IDM模式为核心，但具备高度灵活的合作机制：既能根据客户需求提供从芯片设计、制造到供应链服务的全链条支持，也可灵活参与价值链中的特定环节，充分适配不同客户的合作需求。


针对中国市场，曹志平强调ST高度重视并积极布局：通过提供本地化设计支持、推进供应链本地化布局，结合全球化业务模式，为中国客户与合作伙伴定制专属服务方案；同时，ST也公开表示欢迎中国晶圆厂等产业链企业寻求合作，共同拓展FD-SOI技术在汽车、工业、物联网等领域的应用场景，携手完善产业生态。


曹志平在总结中提到，ST自2012年起便深耕FD-SOI技术领域，2013年推出首款基于该技术的手机应用处理器，如今通过FD-SOI与PCM技术的创新融合，已在嵌入式非易失性存储领域形成独特竞争力。未来，ST将持续联合全球合作伙伴，推动FD-SOI技术向通用MCU、工业嵌入式等更多领域延伸，为半导体行业高质量发展注入新动能。