Tower Semiconductor亮相2025国际RF-SOI论坛,展示RF SOI技术领导力与全场景解决方案
2025-09-28
13:53:22
来源: 互联网
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当前,RF-SOI技术作为支撑5G通信、物联网和汽车电子等前沿领域的关键衬底材料,正经历快速的技术迭代与市场扩张的双重爆发期。
根据Yole报告预测,到2026年全球RF-SOI市场规模将达到44.23亿美元。其中,RF-SOI目前占据全球SOI市场约60%的份额,且随着5G、物联网等应用的扩展,其占比有望进一步提升。
在此行业关键节点,2025年9月26日,由新傲科技、新傲芯翼、沪硅产业及芯原股份主办,SEMI中国与SOI国际产业联盟协办的2025国际RF-SOI论坛在上海正式召开,为全球同仁搭建了技术交流与生态协同的核心平台。
在论坛主题演讲环节,Tower Semiconductor中国区销售总监王敏以“Tower的RF-SOI技术概览”为题,全面展示了其在RF SOI技术及工艺领域的布局、市场解决方案、产能支撑与跨行业应用,凸显了其作为模拟技术领导者在推动全球连接性、绿色能源与人工智能三大趋势中的关键作用。

Tower Semiconductor中国区销售总监王敏
从技术布局与营收基础来看,Tower Semiconductor通过营收趋势图表展现了良好的业务发展态势。

王敏表示,公司RF-SOI工艺营收占比超过总营收20%,结合其多维度技术矩阵可清晰窥见Tower的发展底气。
在工艺覆盖上,Tower Semiconductor构建了从 0.25μm 到 45nm 的全节点技术体系,支持 300mm 大尺寸晶圆生产,核心技术除 RF SOI 外,还涵盖 CIS、SiPho、BCD、Logic、RFCMOS、SiGe等,其中 RF SOI 技术作为核心支柱,贯穿消费电子、汽车等关键领域,为后续解决方案落地奠定了坚实工艺基础。

据介绍,针对全球市场三大核心趋势,Tower Semiconductor重点聚焦“连接性(Connectivity)” 领域,提出“拉近世界距离”的解决方案——基于 RF SOI与 SiGe技术的无线前端组件矩阵。

具体来看,Tower Semiconductor采用 RF SOI 技术开发的 RF 开关、天线调谐器,是无线通信设备的核心基础组件;低噪声放大器、功率放大器及毫米波(mmWave)组件则通过 SiGe 与 RF SOI 技术的融合,实现了信号处理效率与稳定性的双重提升,最终形成完整的无线手机前端解决方案,可充分满足消费电子领域对高频、高效射频通信的需求,为5G/6G及下一代无线技术提供支撑。
从王敏的分享中,行业合作与技术认可进一步印证了Tower Semiconductor的RF SOI技术实力。2025年7月,公司与pSemi联合在IMS 2025上斩获行业论文竞赛大奖,获奖论文聚焦宽带RF开关性能突破,核心依托其先进300mm RF SOI技术,直观体现了该技术在性能优化上的创新成果;在早前的2024年9月,Tower Semiconductor还与Broadcom达成深度合作,基于其先进无线手机前端RF SOI技术,共同开发下一代移动应用的Wi-Fi 7 RF前端模块,并联合制定新的RF SOI行业标准,推动Wi-Fi 7技术在移动终端的规模化应用,展现了其技术对行业标准的引领能力。

为支撑 RF SOI 技术及相关产品的商业化落地,Tower Semiconductor还启动了大规模产能扩张计划——投入1150亿美元资本支出,重点拓展SiGe、SiPho及300mm功率RF产能,并构建了全球化生产网络。

据介绍,在200mm晶圆领域,美国圣安东尼奥、纽波特比奇工厂及以色列米格代尔哈埃梅克工厂已实现RF SOI、SiGe、SiPho等技术的稳定量产,工艺节点覆盖0.13μm至0.5μm;在300mm高端产能方面,美国阿尔伯克基工厂聚焦功率器件生产,采用65nm工艺;意大利阿格拉特工厂专注RF SOI技术,同样基于65nm工艺;日本鱼津工厂则实现RF SOI、功率、CIS等多技术覆盖,工艺节点延伸至45nm,形成“200mm稳定供应+300mm高端突破”的产能格局,为全球客户的增长需求提供保障。
值得关注的是,Tower Semiconductor 还将 RF SOI 技术及模拟技术矩阵拓展至智能网联汽车领域,打造“模拟技术赋能智能网联汽车”的专属解决方案。在应用场景上,该方案覆盖ADAS、EV电池管理、动力系统、车载舒适便利功能及汽车以太网等核心环节;在技术支撑上,除核心RF SOI外,还整合了RF CMOS、SiGe BiCMOS、BCD、GaN、SiC、MEMS及硅光子学等技术,并配套磁TMR传感器、生物识别传感器、惯性传感器、ToF用 SPADs、SWIR图像传感器等组件,构建起覆盖汽车“感知-通信-动力-控制”全链条的技术支持体系。

综合来看,在此次2025国际RF-SOI论坛上,Tower Semiconductor通过技术、市场、产能、应用的多维度展示,不仅强化了其在RF SOI领域的全球领导地位,更凸显了模拟技术在连接性、绿色能源、人工智能及智能汽车等趋势中的核心价值。随着产能扩张的逐步落地与技术迭代的持续推进,公司有望进一步推动RF SOI技术的规模化应用,为全球半导体产业升级与下游行业创新提供关键支撑。
根据Yole报告预测,到2026年全球RF-SOI市场规模将达到44.23亿美元。其中,RF-SOI目前占据全球SOI市场约60%的份额,且随着5G、物联网等应用的扩展,其占比有望进一步提升。
在此行业关键节点,2025年9月26日,由新傲科技、新傲芯翼、沪硅产业及芯原股份主办,SEMI中国与SOI国际产业联盟协办的2025国际RF-SOI论坛在上海正式召开,为全球同仁搭建了技术交流与生态协同的核心平台。
在论坛主题演讲环节,Tower Semiconductor中国区销售总监王敏以“Tower的RF-SOI技术概览”为题,全面展示了其在RF SOI技术及工艺领域的布局、市场解决方案、产能支撑与跨行业应用,凸显了其作为模拟技术领导者在推动全球连接性、绿色能源与人工智能三大趋势中的关键作用。

Tower Semiconductor中国区销售总监王敏
从技术布局与营收基础来看,Tower Semiconductor通过营收趋势图表展现了良好的业务发展态势。

王敏表示,公司RF-SOI工艺营收占比超过总营收20%,结合其多维度技术矩阵可清晰窥见Tower的发展底气。
在工艺覆盖上,Tower Semiconductor构建了从 0.25μm 到 45nm 的全节点技术体系,支持 300mm 大尺寸晶圆生产,核心技术除 RF SOI 外,还涵盖 CIS、SiPho、BCD、Logic、RFCMOS、SiGe等,其中 RF SOI 技术作为核心支柱,贯穿消费电子、汽车等关键领域,为后续解决方案落地奠定了坚实工艺基础。

据介绍,针对全球市场三大核心趋势,Tower Semiconductor重点聚焦“连接性(Connectivity)” 领域,提出“拉近世界距离”的解决方案——基于 RF SOI与 SiGe技术的无线前端组件矩阵。

具体来看,Tower Semiconductor采用 RF SOI 技术开发的 RF 开关、天线调谐器,是无线通信设备的核心基础组件;低噪声放大器、功率放大器及毫米波(mmWave)组件则通过 SiGe 与 RF SOI 技术的融合,实现了信号处理效率与稳定性的双重提升,最终形成完整的无线手机前端解决方案,可充分满足消费电子领域对高频、高效射频通信的需求,为5G/6G及下一代无线技术提供支撑。
从王敏的分享中,行业合作与技术认可进一步印证了Tower Semiconductor的RF SOI技术实力。2025年7月,公司与pSemi联合在IMS 2025上斩获行业论文竞赛大奖,获奖论文聚焦宽带RF开关性能突破,核心依托其先进300mm RF SOI技术,直观体现了该技术在性能优化上的创新成果;在早前的2024年9月,Tower Semiconductor还与Broadcom达成深度合作,基于其先进无线手机前端RF SOI技术,共同开发下一代移动应用的Wi-Fi 7 RF前端模块,并联合制定新的RF SOI行业标准,推动Wi-Fi 7技术在移动终端的规模化应用,展现了其技术对行业标准的引领能力。

为支撑 RF SOI 技术及相关产品的商业化落地,Tower Semiconductor还启动了大规模产能扩张计划——投入1150亿美元资本支出,重点拓展SiGe、SiPho及300mm功率RF产能,并构建了全球化生产网络。

据介绍,在200mm晶圆领域,美国圣安东尼奥、纽波特比奇工厂及以色列米格代尔哈埃梅克工厂已实现RF SOI、SiGe、SiPho等技术的稳定量产,工艺节点覆盖0.13μm至0.5μm;在300mm高端产能方面,美国阿尔伯克基工厂聚焦功率器件生产,采用65nm工艺;意大利阿格拉特工厂专注RF SOI技术,同样基于65nm工艺;日本鱼津工厂则实现RF SOI、功率、CIS等多技术覆盖,工艺节点延伸至45nm,形成“200mm稳定供应+300mm高端突破”的产能格局,为全球客户的增长需求提供保障。
值得关注的是,Tower Semiconductor 还将 RF SOI 技术及模拟技术矩阵拓展至智能网联汽车领域,打造“模拟技术赋能智能网联汽车”的专属解决方案。在应用场景上,该方案覆盖ADAS、EV电池管理、动力系统、车载舒适便利功能及汽车以太网等核心环节;在技术支撑上,除核心RF SOI外,还整合了RF CMOS、SiGe BiCMOS、BCD、GaN、SiC、MEMS及硅光子学等技术,并配套磁TMR传感器、生物识别传感器、惯性传感器、ToF用 SPADs、SWIR图像传感器等组件,构建起覆盖汽车“感知-通信-动力-控制”全链条的技术支持体系。

综合来看,在此次2025国际RF-SOI论坛上,Tower Semiconductor通过技术、市场、产能、应用的多维度展示,不仅强化了其在RF SOI领域的全球领导地位,更凸显了模拟技术在连接性、绿色能源、人工智能及智能汽车等趋势中的核心价值。随着产能扩张的逐步落地与技术迭代的持续推进,公司有望进一步推动RF SOI技术的规模化应用,为全球半导体产业升级与下游行业创新提供关键支撑。
责任编辑:Ace
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