最新新闻
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重磅新品 | 南芯科技降压DC-DC再升级，引领高性能紧凑型电源设计
2025.12.22 -
媒体采访 | 由点到面：南芯科技车规PMIC的“速度”与“深度”
2025.12.02 -
客户案例 | 南芯科技助力阿里夸克AI眼镜实现超长续航
2025.11.27 -
重磅新品 | 南芯科技推出700V高压GaN半桥功率芯片，为工业电源提供更高效可靠的解决方案
2025.11.25 -
媒体采访 | 从幕后到台前，南芯科技如何抢占智驾PMIC赛道
2025.11.19 -
重磅新品 | 南芯科技推出毫米波雷达PMIC，构建完整一体化感知方案
2025.11.14 -
南芯科技荣获经纬恒润“最佳服务奖”，以高性能车规产品与卓越服务共促汽车智能化升级
2025.11.12 -
南芯科技高性能电源方案助力人形机器人迎接量产元年
2025.10.31
频道新闻
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英飞凌携手盛弘电气拓展储能市场， 共同推进绿色能源发展
【2024年1月26日，德国慕尼黑和中国深圳讯】近日，英飞凌宣布与全球领先的能源互联网核心电力设备及解决方案领军企业盛弘电气股份有限公司
2024.01.26 -
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
【2023年12月25日，德国慕尼黑讯】许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化
2023.12.25 -
英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块
英飞凌科技股份公司推出搭载1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达800 A
2023.09.06 -
英飞凌推出全新的TEGRION系列安全控制器
【2023年8月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司于近日宣布推出全新的TEGRION™系列安全控制器，这是英飞凌迄今为止最广泛的28 n
2023.09.05 -
英飞凌推出先进的OptiMOS 功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度
2023.09.05 -
创新推动低碳化和数字化 英飞凌亮相PCIM Asia 2023
【2023年8月29日，中国上海讯】英飞凌（Infineon）今日携广泛的半导体技术和产品，亮相于上海新国际博览中心举办的 2023上海国际电力元件
2023.08.29 -
英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用
【2023年7月27日，德国慕尼黑讯】在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以
2023.08.03 -
GaN Systems 与上海安世博能源科技结盟 推进氮化镓进入中国电动车应用市场
氮化镓功率半导体全球领导厂商 GaN Systems 今宣布与上海安世博能源科技策略结盟，共同致力于加速并扩大氮化镓功率半导体于电动车应用的发展。
2023.08.03 -
IGBT“抢货”氛围持续，陆芯驶上国产替代快车道
尽管当前全球半导体产业处于下行周期，总体市场氛围需求不振，但依然存在IGBT等少数供不应求的领域。消息称，英飞凌、意法半导体国外大厂IG
2023.06.19 -
三安光电拟与意法半导体在重庆合资设厂生产碳化硅晶圆
6月7 日，中国化合物半导体龙头公司三安光电与全球排名前列的半导体龙头公司意法半导体联合宣布：双方已签署协议，拟在中国重庆共同建立一
2023.06.07 -
英飞凌德累斯顿新工厂破土动
【2023 年 5 月 5 日，德国慕尼黑及德累斯顿讯】英飞凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX: IFNNY）与来自比利时布鲁塞尔、德国柏林
2023.05.15 -
英飞凌与鸿海签订合作备忘录，将在台湾地区设立车用系统应用中
【2023 年 5 月 10 日，德国慕尼黑讯】全球车用半导体领导厂商英飞凌科技股份公司(FSE: IFX OTCQX: IFNNY) 与全球最大的科技制
2023.05.15 -
推动本土低碳化、数字化发展，英飞凌是怎样做的？
当下，全球正处于低碳化、数字化转型升级过程中，在这一转变之下，半导体行业对各个应用和产业的发展尤为重要。高性能的半导体能够帮助新能
2022.12.27 -
清纯半导体推出新能源车主驱用SiC芯片
近日，国内SiC功率器件领先企业清纯半导体推出了1200V 14mΩ SiC MOSFET 产品- S1M014120H，并通过了车企和tier1厂商的测试。
2022.08.22 -
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打破技术垄断，比亚迪自主研发碳化硅功率MOS器件
碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料，其击穿场强是硅的10倍，热导率是硅的2 5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200
2017.10.19 -
全球功率半导体规模2021年将达400亿美元，大陆增幅最快
在车用与产业用功率半导体销售成长推动下，2016年全球整体功率半导体市场销售额年增3 9%。预估2017~2021年该产品销售额还会继续成长，合计2
2017.10.19 -
又一家国产芯片公司谋划IPO，主营电源管理IC
无锡芯朋微电子股份有限公司(以下简称芯朋微电子)近期在证监会网站披露招股说明书，公司拟在创业板发行不超过2570万股，占发行后总股本的比
2017.10.19 -
Littelfuse推出紧凑、快熔断型500VAC陶瓷管保险丝
中国，北京，2017年9月13日讯 - Littelfuse, Inc ，作为全球电路保护领域的领先企业，今天推出了紧凑、快熔断型500VAC陶瓷管保险丝，额
2017.09.13 -
ROHM开发出2MHz工作、业界最高降压比电源IC
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM面向轻度混合动力汽车等48V电源驱动的车载系统，开发出汽车要求的2MHz工作（开关）条件下业界最高降压比
2017.08.30 -
大规模商用在即，回顾SiC器件的前世今生
绝缘栅双极电晶体(IGBT)，这种颠覆性的功率电晶体在20世纪80年代早期实现商业化，对电力电子行业产生了巨大的积极影响，它实现了创新的转换
2017.08.28
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