罗姆亮相 PCIM Asia 2025:全方位功率半导体方案,定义行业创新新范式
2025-10-13
10:17:27
来源: 互联网
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功率半导体作为能源转换与控制的核心器件,正处在材料变革与系统集成并行演进的关键节点。过去几年中,受新能源汽车、高端制造、可再生能源和数据中心的拉动,全球市场规模稳步攀升,中国市场更成为增长最快的区域之一。
其中,SiC 和 GaN 等宽禁带器件在高压、高频和高温等场景下的优势,正逐步改写功率电子的技术版图。
而在2025年9月,罗姆半导体亮相 PCIM Asia 2025 上海展,携碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、IGBT 与 MOSFET 等多系列产品及系统解决方案,全面展示其在功率半导体技术创新与产业应用中的领先实力。
碳化硅模块:专为高性能应用优化
“我们今年新推出的两款碳化硅模块,均采用了全新封装设计。” 在展台现场,罗姆技术人员向观众介绍道,“更重要的是,这两款产品都搭载了罗姆第4代SiC MOSFET,性能表现进一步升级。”

首先亮相的是 DOT-247 封装模块。从外观上看,其设计核心是将两个常规 TO-247 封装 “并合一体”,而这一创新结构的关键价值,在于对电流路径的大幅优化,非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。
“在传统 TO-247 方案中,电流需要从正极流向负极,再经过 PCB 板才能进入下一个桥路,路径较长。” 技术人员进一步拆解设计逻辑,“而我们的 DOT-247 封装通过内部结构重构,让电流可直接在模块内部完成流转,路径长度显著缩短。”
这一优化带来了肉眼可见的性能提升:在杂散电感方面,模块将传统方案 27nH 的数值降至 13nH,大幅改善了碳化硅器件的开关速度,同时有效降低了开关损耗;散热表现上,当功率损耗稳定在 20W 时,模块温度从传统方案的 66℃降至 59℃,实现了 7℃的显著降温。
集成度的提升更让系统设计受益。
技术人员举例说明:“若采用分立单管搭建 1000 瓦三相 PFC 电路,通常需要 12 颗器件;而使用我们的 DOT-247 模块,仅需 3 颗即可完成 ——1 个模块对应 1 个桥路,相当于集成了 4 个分立器件的功能。” 目前,该系列模块已覆盖 1200V 和 750V 两大电压等级,符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品也计划于2025年10月开始提供样品。
另一款重磅产品是主打 4合1与6合1结构“高功率密度” 的HSDIP20封装模块,适用于车载充电器的PFC和LLC转换器等应用。其核心亮点在于完全绝缘设计—— 模块散热面可直接与散热器贴合,无需额外增加绝缘层或绝缘处理工序,大幅简化了装配流程。而独特的散热方向设计,使其在插件式应用场景中具备天然优势。
“这款产品的核心优势可以总结为两点:一是体积小巧,能节省更多 PCB 板空间;二是散热高效,保障长期稳定运行。” 技术人员强调。具体数据显示,在 25W 功率损耗条件下,该模块的芯片温度较传统方案降低了38℃,散热效率提升显著。
更贴心的是,模块内部集成了 NTC 热敏电阻,可实时监测芯片温度,为系统提供精准的温控依据。“这一设计省去了客户在散热器上打孔、额外布线的麻烦,尤其适合主动悬架、车载充电机(OBC)等采用自然风冷的应用场景,能进一步降低客户的设计与生产成本。”
车规级TRCDRIVE pack™模块:可靠性的新标杆
在碳化硅领域,罗姆针对车载应用推出的TRCDRIVE pack™模块系列尤为值得关注,该系列提供Small和Large两种尺寸,支持750V和1200V电压等级,外部接口完全兼容,实现向下兼容设计。

据了解,这一车载模块采用银烧结技术连接芯片与基板,顶层使用铜颗粒替代传统Wire Bonding。“银烧结的导热比较好,可靠性强。铜颗粒和Wire Bonding相比,功率大,可靠性强,”技术人员介绍说,“这块主要是可靠性,体现在银烧结和铜颗粒,在温度循环方面就会好一些。”
在散热方案上,该模块提供TIM(导热界面材料)和银烧结版本的交流有效值(RMS)两种选择。以1200V Large版本为例,银烧结版本可实现593A的交流有效值电流,而TIM版本为571A。虽然银烧结方案的加工成本稍高,但对于有极致性能要求的客户来说是更优选择。
当被问及产品特点时,技术人员特别强调:“这种模块是我们根据碳化硅的芯片特性,重新完全新设计的。”与简单将IGBT封装中的芯片替换为碳化硅不同,TRCDRIVE pack™从端子位置、寄生参数等方面进行了全面优化。
“这是一个专门为碳化硅设计的封装,所以它的参数也会有一些优化,当然它的体积也小一些,”技术人员解释道。在相同性能要求下,该模块的整体尺寸和体积与传统IGBT模块相比缩小了30%,功率密度显著提升。
展台上的对比模型清晰展示了这一优势:传统HPD封装的外围有许多冗余部分,而TRCDRIVE pack™模块则实现了高度集成和紧凑设计。
此外,展台还展示了8寸和6寸晶圆、第三代碳化硅模块,以及面向工业应用的1700V 250A高压模块和集成1700V 4A MOSFET的一体化辅助电源方案,后者在输入700-800V、输出40-50W的应用中展现出优异的效率和散热性能。
EcoGaN™生态系统:氮化镓应用的完整方案
除了碳化硅模块之外,本次罗姆PCIM展台上还展出了罗姆Power Eco Family的子品牌——EcoGaN™,其不仅包括GaN HEMT单管,还包括内置控制器搭载了GaN的IC等产品。

据了解,罗姆的GaN HEMT单管产品提供DFN 8080、TOLL(底部散热和顶部散热)等多种封装选择,导通阻抗范围从18mΩ到130mΩ。
目前,氮化镓的主要应用方向是高开关频率场景。由于开关频率提高,电容、电感等无源器件可以显著缩小,从而实现高功率密度转换,在保持体积小巧的同时提供较大功率。展台上展示的服务器电源模块、150W和330W参考设计,以及3000W PFC模块等,充分验证了这些方案的实际应用价值。
针对氮化镓器件工作频率高、栅极电压低(仅5V)、噪音易引入等使用难点,罗姆还推出了集GaN HEMT和栅极驱动器于一体Power Stage IC方案,通过替换现有的Si MOSFET,可将器件体积减少约99%,功率损耗减少约55%,助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积。这一设计使驱动电压范围扩展至10-15V(最高30V),与传统MOSFET电路完全兼容。由于驱动器与GaN器件合封,噪声特性和使用便利性都得到显著改善。该系列提供70mΩ、150mΩ两种导通阻抗规格。
值得关注的是,罗姆的创新并未止步于此。三合一PFC方案将PFC控制器、GaN驱动器和GaN器件整合在一起,芯片面积降低超过40%。该方案在轻负载时可降低工作频率以提升效率,改善幅度约5个百分点,PFC段效率可达97-98%。
在AC/DC转换端,罗姆提供准谐振(QR)三合一方案,同样集成QR控制器、GaN驱动器和GaN器件。这两个方案可以协同工作,实现独特的功能。由于前后都是罗姆的方案设计,在待机模式下,QR控制器可自动关闭PFC,使待机功耗从150mW降至60mW,降幅达60-70%。这种协同效应是单独使用其他厂商产品无法实现的。
展台上的240W PD适配器完整展示了这一方案的实际应用。两个罗姆三合一IC的组合可覆盖240W以下的各类电源应用,包括适配器、小型UPS、小型服务器电源等。随着AI服务器电源需求向2kW、5kW甚至更高功率发展,罗姆的技术路线图也在不断延伸。
硅基器件:在通用市场持续突破
尽管碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体材料凭借优异性能成为行业焦点,但罗姆并未放松对传统硅基器件的技术深耕,而是持续通过材料升级、工艺革新与封装优化,推出多款适配高要求场景的创新产品,展现出在传统领域的技术领导力。
在核心的肖特基二极管品类中,罗姆重点展示了两大创新系列,精准解决不同应用场景的痛点。其中,RBxx8 系列凭借特殊金属材料的创新应用,实现了反向漏电流的大幅优化 —— 相比普通肖特基二极管,其反向漏电流降低幅度高达 90%,同时工作温度上限提升至 175℃。“普通二极管在高温环境下,反向漏电流特性易恶化,进而引发热失控风险,这正是我们研发 RBxx8 系列的核心初衷。” 技术人员解释道。这一特性使该系列成为新能源汽车电池包、电机控制器等高温工况的理想选择,为车载电力系统的稳定性提供关键支撑。
另一款YQ 系列则定位 “平衡型肖特基二极管”,创新采用类似 MOSFET 的沟槽工艺,突破性实现正向压降(VF)与反向漏电流(IR)的同步降低,从根本上改善了器件的高频开关损耗。展台上,汽车前照灯升压驱动评估板通过直观对比,清晰呈现出 YQ 系列在反向功率损耗与正向损耗上的显著优势,印证了其在车载照明等高频应用中的性能潜力。
封装技术的创新同样是罗姆硅基器件的重要竞争力。针对小型化与高耐压需求,罗姆推出TL277 等新型封装,在确保器件核心电气特性不受损的前提下,实现了体积的大幅缩减,同时将耐压等级扩展至 200V。更贴合行业需求的是,该系列所有产品均同步提供工业级与车规级两个版本,可灵活适配不同场景对可靠性与环境适应性的要求,降低客户选型与替换成本。
在 MOSFET 领域,罗姆的技术突破尤为亮眼。目前已量产的第六代 MOSFET在沟槽结构上实现里程碑式创新 ——“从第六代产品开始,我们引入了当前中低压 MOSFET 领域主流的屏蔽栅(Shielded Gate)或分离栅(Split Gate)技术,” 技术人员介绍,“这一工艺革新不仅让寄生电容同步大幅下降,更带来了导通性能与开关特性的双重优化,整体性能较前代产品实现跃升。”
封装环节的升级进一步放大了器件性能:罗姆全面采用铜夹板连接技术,替代传统的金线或铝带连接方式。这一改变不仅使器件的通流能力显著增强,还有效降低了寄生参数与整体阻抗,为 MOSFET 在大电流、高功率场景下的稳定运行奠定基础。
从产品线布局来看,罗姆 MOSFET 全面覆盖电源管理与电机驱动两大核心领域。在电机驱动场景中,罗姆提供单管、双通道 MOS(N+N、N+P)等多元化选择,其中双通道 N+P 方案可直接替代两颗单管,在简化电路设计的同时实现系统小型化,尤其适配单向 H 桥等对空间要求严苛的应用。
针对高压应用,罗姆的YN 系列超级结 MOSFET以 “快速开关” 为核心优势,主要面向功率因数校正(PFC)、LLC 谐振变换器等电源电路。目前该系列已量产 600V、650V 两个电压等级产品,可满足中大功率电源的设计需求,而性能更优的新一代产品也已进入上市筹备阶段,将进一步完善高压 MOSFET 的产品矩阵。
面对记者关于市场竞争的提问,罗姆技术人员坦诚表示:“不仅是本次展示的这款产品,现场所有硅基器件品类,国内都有不少企业能够生产 —— 因为这些大多属于通用型器件。我们的差异点在于市场定位的精准性,以及对技术创新的持续突破。” 这一表述清晰勾勒出罗姆的竞争策略:在通用市场中避开同质化竞争,通过技术细节的打磨与场景化优化,建立差异化优势。
在 IGBT 领域,罗姆的RGA 系列同样展现出鲜明的场景适配性,主要瞄准电动压缩机、加热器、工业逆变器等大功率应用。该系列的核心竞争力在于10μs(结温 25℃时)的短路耐受能力,达到业界较高水平,同时饱和压降(VCE (sat))仅约 1.6V,在 “高可靠性” 与 “低功耗” 之间实现了出色平衡。封装形式上,除标准Q27N三引脚封装外,罗姆还提供四引脚版本,可进一步降低开关损耗;供应形态则涵盖封装成品与裸片,满足不同客户的生产需求。
技术人员特别强调了 RGA 系列的场景边界:“服务器电源对器件的高频开关性能要求极高,而 IGBT 的开关速度难以满足,这类场景更适合选用我们的超级结 MOSFET 或碳化硅器件。” 这种清晰的产品定位,帮助客户避免选型偏差,提升设计效率。
智能功率模块(IPM) 是罗姆 IGBT 产品线的重要组成,通过高度集成三相 IGBT、驱动器、自举二极管及多重保护电路,大幅简化外围设计。其新品核心优势显著:采用最新 IGBT 与软恢复快恢管,同步优化功耗与噪声;90℃时温度监控精度达 ±2%,可省外置热敏电阻;独特阻抗识别功能防误装,且涵盖短路、欠压、过热等全面保护。
该 IPM 主要适配白色家电,尤其满足冰箱压缩机等对噪声要求严格的场景,600V 系列电流范围可覆盖主流需求。此外,针对风扇驱动,罗姆另有专属 “MOS 驱动 + MOS” 集成模块。
整体来看,罗姆通过对硅基器件各品类的技术深耕,构建了覆盖 “材料 - 工艺 - 封装 - 应用” 全链条的创新能力,既在传统领域守住了技术高地,也为新能源汽车、白色家电、工业控制等行业提供了高性能、高可靠性的解决方案,展现出 “以创新应万变” 的发展思路。
应用生态:从芯片到系统的完整供应链
在PCIM Asia 2025展台上的应用案例区,则集中展示了罗姆与产业链合作伙伴的丰富成果,主要聚焦碳化硅和IGBT在车载应用中的实际表现。
悉智科技采用罗姆碳化硅的DCM封装模块,展现了第二代功率模块技术的优势。“它的优点在于,灵活性比较足,电流的极限值可以做得比较大,”技术人员介绍说。由于封装面积优势,DCM方案的电流能力可达近600A,而传统IGBT封装只能做到400多安。
西诚的PTC加热产品采用罗姆IGBT,应用于电动车热空调系统。纯电动车无论夏天还是冬天都需要大量电能:夏天驱动压缩机制冷,冬天启动PTC加热,这些都是高耗电应用。
三家模块厂商展示了基于罗姆碳化硅的HPD模块方案。海姆希科作为罗姆和正海集团的合资公司,展示了将电容集成到模块内部的创新设计,大幅简化客户的外围电路设计。
赛米控丹佛斯作为欧洲老牌模块厂商,是罗姆的战略合作伙伴。今年,罗姆的新型2kV碳化硅MOSFET被赛米控丹佛斯模块采用,应用于SMA的太阳能系统,展现了罗姆产品在可再生能源领域的应用潜力。
最后,技术人员总结道:“罗姆目前已经实现了以裸芯片、分立器件和模块等各种形态向半导体制造商、模块厂商、Tier1厂商以及应用产品制造商供货。”这种全方位的供应能力构建了完整的产业生态,使罗姆能够灵活响应不同客户的需求。
结语
在PCIM Asia 2025展会上,罗姆展现了其在功率半导体领域的全面技术实力和系统化解决方案能力。从专为碳化硅优化的创新封装,到氮化镓三合一集成方案的协同效应,从针对高温挑战的特种二极管,到智能化的IPM模块,罗姆不仅提供高性能的器件,更注重系统级优化、易用性提升和产业生态构建。
随着新能源汽车、高效电源和工业自动化市场的持续增长,我们相信,罗姆凭借着深厚技术积累的创新产品,将为新能源等产业继续提供强有力的支撑,最终推动功率半导体行业的进一步发展。
其中,SiC 和 GaN 等宽禁带器件在高压、高频和高温等场景下的优势,正逐步改写功率电子的技术版图。
而在2025年9月,罗姆半导体亮相 PCIM Asia 2025 上海展,携碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、IGBT 与 MOSFET 等多系列产品及系统解决方案,全面展示其在功率半导体技术创新与产业应用中的领先实力。
碳化硅模块:专为高性能应用优化
“我们今年新推出的两款碳化硅模块,均采用了全新封装设计。” 在展台现场,罗姆技术人员向观众介绍道,“更重要的是,这两款产品都搭载了罗姆第4代SiC MOSFET,性能表现进一步升级。”

首先亮相的是 DOT-247 封装模块。从外观上看,其设计核心是将两个常规 TO-247 封装 “并合一体”,而这一创新结构的关键价值,在于对电流路径的大幅优化,非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。
“在传统 TO-247 方案中,电流需要从正极流向负极,再经过 PCB 板才能进入下一个桥路,路径较长。” 技术人员进一步拆解设计逻辑,“而我们的 DOT-247 封装通过内部结构重构,让电流可直接在模块内部完成流转,路径长度显著缩短。”
这一优化带来了肉眼可见的性能提升:在杂散电感方面,模块将传统方案 27nH 的数值降至 13nH,大幅改善了碳化硅器件的开关速度,同时有效降低了开关损耗;散热表现上,当功率损耗稳定在 20W 时,模块温度从传统方案的 66℃降至 59℃,实现了 7℃的显著降温。
集成度的提升更让系统设计受益。
技术人员举例说明:“若采用分立单管搭建 1000 瓦三相 PFC 电路,通常需要 12 颗器件;而使用我们的 DOT-247 模块,仅需 3 颗即可完成 ——1 个模块对应 1 个桥路,相当于集成了 4 个分立器件的功能。” 目前,该系列模块已覆盖 1200V 和 750V 两大电压等级,符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品也计划于2025年10月开始提供样品。
另一款重磅产品是主打 4合1与6合1结构“高功率密度” 的HSDIP20封装模块,适用于车载充电器的PFC和LLC转换器等应用。其核心亮点在于完全绝缘设计—— 模块散热面可直接与散热器贴合,无需额外增加绝缘层或绝缘处理工序,大幅简化了装配流程。而独特的散热方向设计,使其在插件式应用场景中具备天然优势。
“这款产品的核心优势可以总结为两点:一是体积小巧,能节省更多 PCB 板空间;二是散热高效,保障长期稳定运行。” 技术人员强调。具体数据显示,在 25W 功率损耗条件下,该模块的芯片温度较传统方案降低了38℃,散热效率提升显著。
更贴心的是,模块内部集成了 NTC 热敏电阻,可实时监测芯片温度,为系统提供精准的温控依据。“这一设计省去了客户在散热器上打孔、额外布线的麻烦,尤其适合主动悬架、车载充电机(OBC)等采用自然风冷的应用场景,能进一步降低客户的设计与生产成本。”
车规级TRCDRIVE pack™模块:可靠性的新标杆
在碳化硅领域,罗姆针对车载应用推出的TRCDRIVE pack™模块系列尤为值得关注,该系列提供Small和Large两种尺寸,支持750V和1200V电压等级,外部接口完全兼容,实现向下兼容设计。

据了解,这一车载模块采用银烧结技术连接芯片与基板,顶层使用铜颗粒替代传统Wire Bonding。“银烧结的导热比较好,可靠性强。铜颗粒和Wire Bonding相比,功率大,可靠性强,”技术人员介绍说,“这块主要是可靠性,体现在银烧结和铜颗粒,在温度循环方面就会好一些。”
在散热方案上,该模块提供TIM(导热界面材料)和银烧结版本的交流有效值(RMS)两种选择。以1200V Large版本为例,银烧结版本可实现593A的交流有效值电流,而TIM版本为571A。虽然银烧结方案的加工成本稍高,但对于有极致性能要求的客户来说是更优选择。
当被问及产品特点时,技术人员特别强调:“这种模块是我们根据碳化硅的芯片特性,重新完全新设计的。”与简单将IGBT封装中的芯片替换为碳化硅不同,TRCDRIVE pack™从端子位置、寄生参数等方面进行了全面优化。
“这是一个专门为碳化硅设计的封装,所以它的参数也会有一些优化,当然它的体积也小一些,”技术人员解释道。在相同性能要求下,该模块的整体尺寸和体积与传统IGBT模块相比缩小了30%,功率密度显著提升。
展台上的对比模型清晰展示了这一优势:传统HPD封装的外围有许多冗余部分,而TRCDRIVE pack™模块则实现了高度集成和紧凑设计。
此外,展台还展示了8寸和6寸晶圆、第三代碳化硅模块,以及面向工业应用的1700V 250A高压模块和集成1700V 4A MOSFET的一体化辅助电源方案,后者在输入700-800V、输出40-50W的应用中展现出优异的效率和散热性能。
EcoGaN™生态系统:氮化镓应用的完整方案
除了碳化硅模块之外,本次罗姆PCIM展台上还展出了罗姆Power Eco Family的子品牌——EcoGaN™,其不仅包括GaN HEMT单管,还包括内置控制器搭载了GaN的IC等产品。

据了解,罗姆的GaN HEMT单管产品提供DFN 8080、TOLL(底部散热和顶部散热)等多种封装选择,导通阻抗范围从18mΩ到130mΩ。
目前,氮化镓的主要应用方向是高开关频率场景。由于开关频率提高,电容、电感等无源器件可以显著缩小,从而实现高功率密度转换,在保持体积小巧的同时提供较大功率。展台上展示的服务器电源模块、150W和330W参考设计,以及3000W PFC模块等,充分验证了这些方案的实际应用价值。
针对氮化镓器件工作频率高、栅极电压低(仅5V)、噪音易引入等使用难点,罗姆还推出了集GaN HEMT和栅极驱动器于一体Power Stage IC方案,通过替换现有的Si MOSFET,可将器件体积减少约99%,功率损耗减少约55%,助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积。这一设计使驱动电压范围扩展至10-15V(最高30V),与传统MOSFET电路完全兼容。由于驱动器与GaN器件合封,噪声特性和使用便利性都得到显著改善。该系列提供70mΩ、150mΩ两种导通阻抗规格。
值得关注的是,罗姆的创新并未止步于此。三合一PFC方案将PFC控制器、GaN驱动器和GaN器件整合在一起,芯片面积降低超过40%。该方案在轻负载时可降低工作频率以提升效率,改善幅度约5个百分点,PFC段效率可达97-98%。
在AC/DC转换端,罗姆提供准谐振(QR)三合一方案,同样集成QR控制器、GaN驱动器和GaN器件。这两个方案可以协同工作,实现独特的功能。由于前后都是罗姆的方案设计,在待机模式下,QR控制器可自动关闭PFC,使待机功耗从150mW降至60mW,降幅达60-70%。这种协同效应是单独使用其他厂商产品无法实现的。
展台上的240W PD适配器完整展示了这一方案的实际应用。两个罗姆三合一IC的组合可覆盖240W以下的各类电源应用,包括适配器、小型UPS、小型服务器电源等。随着AI服务器电源需求向2kW、5kW甚至更高功率发展,罗姆的技术路线图也在不断延伸。
硅基器件:在通用市场持续突破
尽管碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体材料凭借优异性能成为行业焦点,但罗姆并未放松对传统硅基器件的技术深耕,而是持续通过材料升级、工艺革新与封装优化,推出多款适配高要求场景的创新产品,展现出在传统领域的技术领导力。
在核心的肖特基二极管品类中,罗姆重点展示了两大创新系列,精准解决不同应用场景的痛点。其中,RBxx8 系列凭借特殊金属材料的创新应用,实现了反向漏电流的大幅优化 —— 相比普通肖特基二极管,其反向漏电流降低幅度高达 90%,同时工作温度上限提升至 175℃。“普通二极管在高温环境下,反向漏电流特性易恶化,进而引发热失控风险,这正是我们研发 RBxx8 系列的核心初衷。” 技术人员解释道。这一特性使该系列成为新能源汽车电池包、电机控制器等高温工况的理想选择,为车载电力系统的稳定性提供关键支撑。
另一款YQ 系列则定位 “平衡型肖特基二极管”,创新采用类似 MOSFET 的沟槽工艺,突破性实现正向压降(VF)与反向漏电流(IR)的同步降低,从根本上改善了器件的高频开关损耗。展台上,汽车前照灯升压驱动评估板通过直观对比,清晰呈现出 YQ 系列在反向功率损耗与正向损耗上的显著优势,印证了其在车载照明等高频应用中的性能潜力。
封装技术的创新同样是罗姆硅基器件的重要竞争力。针对小型化与高耐压需求,罗姆推出TL277 等新型封装,在确保器件核心电气特性不受损的前提下,实现了体积的大幅缩减,同时将耐压等级扩展至 200V。更贴合行业需求的是,该系列所有产品均同步提供工业级与车规级两个版本,可灵活适配不同场景对可靠性与环境适应性的要求,降低客户选型与替换成本。
在 MOSFET 领域,罗姆的技术突破尤为亮眼。目前已量产的第六代 MOSFET在沟槽结构上实现里程碑式创新 ——“从第六代产品开始,我们引入了当前中低压 MOSFET 领域主流的屏蔽栅(Shielded Gate)或分离栅(Split Gate)技术,” 技术人员介绍,“这一工艺革新不仅让寄生电容同步大幅下降,更带来了导通性能与开关特性的双重优化,整体性能较前代产品实现跃升。”
封装环节的升级进一步放大了器件性能:罗姆全面采用铜夹板连接技术,替代传统的金线或铝带连接方式。这一改变不仅使器件的通流能力显著增强,还有效降低了寄生参数与整体阻抗,为 MOSFET 在大电流、高功率场景下的稳定运行奠定基础。
从产品线布局来看,罗姆 MOSFET 全面覆盖电源管理与电机驱动两大核心领域。在电机驱动场景中,罗姆提供单管、双通道 MOS(N+N、N+P)等多元化选择,其中双通道 N+P 方案可直接替代两颗单管,在简化电路设计的同时实现系统小型化,尤其适配单向 H 桥等对空间要求严苛的应用。
针对高压应用,罗姆的YN 系列超级结 MOSFET以 “快速开关” 为核心优势,主要面向功率因数校正(PFC)、LLC 谐振变换器等电源电路。目前该系列已量产 600V、650V 两个电压等级产品,可满足中大功率电源的设计需求,而性能更优的新一代产品也已进入上市筹备阶段,将进一步完善高压 MOSFET 的产品矩阵。
面对记者关于市场竞争的提问,罗姆技术人员坦诚表示:“不仅是本次展示的这款产品,现场所有硅基器件品类,国内都有不少企业能够生产 —— 因为这些大多属于通用型器件。我们的差异点在于市场定位的精准性,以及对技术创新的持续突破。” 这一表述清晰勾勒出罗姆的竞争策略:在通用市场中避开同质化竞争,通过技术细节的打磨与场景化优化,建立差异化优势。
在 IGBT 领域,罗姆的RGA 系列同样展现出鲜明的场景适配性,主要瞄准电动压缩机、加热器、工业逆变器等大功率应用。该系列的核心竞争力在于10μs(结温 25℃时)的短路耐受能力,达到业界较高水平,同时饱和压降(VCE (sat))仅约 1.6V,在 “高可靠性” 与 “低功耗” 之间实现了出色平衡。封装形式上,除标准Q27N三引脚封装外,罗姆还提供四引脚版本,可进一步降低开关损耗;供应形态则涵盖封装成品与裸片,满足不同客户的生产需求。
技术人员特别强调了 RGA 系列的场景边界:“服务器电源对器件的高频开关性能要求极高,而 IGBT 的开关速度难以满足,这类场景更适合选用我们的超级结 MOSFET 或碳化硅器件。” 这种清晰的产品定位,帮助客户避免选型偏差,提升设计效率。
智能功率模块(IPM) 是罗姆 IGBT 产品线的重要组成,通过高度集成三相 IGBT、驱动器、自举二极管及多重保护电路,大幅简化外围设计。其新品核心优势显著:采用最新 IGBT 与软恢复快恢管,同步优化功耗与噪声;90℃时温度监控精度达 ±2%,可省外置热敏电阻;独特阻抗识别功能防误装,且涵盖短路、欠压、过热等全面保护。
该 IPM 主要适配白色家电,尤其满足冰箱压缩机等对噪声要求严格的场景,600V 系列电流范围可覆盖主流需求。此外,针对风扇驱动,罗姆另有专属 “MOS 驱动 + MOS” 集成模块。
整体来看,罗姆通过对硅基器件各品类的技术深耕,构建了覆盖 “材料 - 工艺 - 封装 - 应用” 全链条的创新能力,既在传统领域守住了技术高地,也为新能源汽车、白色家电、工业控制等行业提供了高性能、高可靠性的解决方案,展现出 “以创新应万变” 的发展思路。
应用生态:从芯片到系统的完整供应链
在PCIM Asia 2025展台上的应用案例区,则集中展示了罗姆与产业链合作伙伴的丰富成果,主要聚焦碳化硅和IGBT在车载应用中的实际表现。
悉智科技采用罗姆碳化硅的DCM封装模块,展现了第二代功率模块技术的优势。“它的优点在于,灵活性比较足,电流的极限值可以做得比较大,”技术人员介绍说。由于封装面积优势,DCM方案的电流能力可达近600A,而传统IGBT封装只能做到400多安。
西诚的PTC加热产品采用罗姆IGBT,应用于电动车热空调系统。纯电动车无论夏天还是冬天都需要大量电能:夏天驱动压缩机制冷,冬天启动PTC加热,这些都是高耗电应用。
三家模块厂商展示了基于罗姆碳化硅的HPD模块方案。海姆希科作为罗姆和正海集团的合资公司,展示了将电容集成到模块内部的创新设计,大幅简化客户的外围电路设计。
赛米控丹佛斯作为欧洲老牌模块厂商,是罗姆的战略合作伙伴。今年,罗姆的新型2kV碳化硅MOSFET被赛米控丹佛斯模块采用,应用于SMA的太阳能系统,展现了罗姆产品在可再生能源领域的应用潜力。
最后,技术人员总结道:“罗姆目前已经实现了以裸芯片、分立器件和模块等各种形态向半导体制造商、模块厂商、Tier1厂商以及应用产品制造商供货。”这种全方位的供应能力构建了完整的产业生态,使罗姆能够灵活响应不同客户的需求。
结语
在PCIM Asia 2025展会上,罗姆展现了其在功率半导体领域的全面技术实力和系统化解决方案能力。从专为碳化硅优化的创新封装,到氮化镓三合一集成方案的协同效应,从针对高温挑战的特种二极管,到智能化的IPM模块,罗姆不仅提供高性能的器件,更注重系统级优化、易用性提升和产业生态构建。
随着新能源汽车、高效电源和工业自动化市场的持续增长,我们相信,罗姆凭借着深厚技术积累的创新产品,将为新能源等产业继续提供强有力的支撑,最终推动功率半导体行业的进一步发展。
责任编辑:Yuki
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