破局高端离子注入!凯世通携两大新品亮相SEMICON China,产业链协同加速国产替代

2026-03-30 15:11:00 来源: 互联网
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3月25日至27日,全球半导体行业瞩目的SEMICON China 2026在上海新国际博览中心举行。在AI算力驱动产业变革、芯片制造向先进节点加速演进的背景下,本届展会不仅是技术比拼的秀场,更成为观察国产半导体产业链协同突围的重要窗口。
 
在本次展会上,先导基电旗下上海凯世通半导体股份有限公司(下称“凯世通”)携Hyperion先进制程大束流离子注入机、iKing 360中束流离子注入机两大全新系列产品重磅发布,凭借全自主核心技术实现高端离子注入机领域的关键突破。
 

 与此同时,先导科技集团(下称“先导集团”)、元创精密也同台亮相,展现出国产半导体产业链从材料、零部件到整机设备的全链条协同能力与多元化布局优势,为我国集成电路产业高端化、自主化发展注入强劲动能,也折射出国产半导体装备从单点突破向全链条协同竞争的战略跃迁。
 
直击“卡脖子”环节:凯世通携双系列新品强势突围 

众所周知,离子注入机是晶圆制造的核心装备,直接定义芯片的电学特性。然而,作为半导体芯片制造的核心工艺设备,离子注入机长期被国外企业垄断,美国应用材料、亚舍立占据全球约90%的市场份额,其中低能大束流机型作为市场需求最大的品类(占比约60%),更是先进制程芯片制造的核心“卡脖子”环节。
 
在国产替代加速的行业背景下,本次凯世通在3月25日展会开幕当天正式发布Hyperion先进制程大束流离子注入机与iKing 360中束流离子注入机两大系列新品,精准切入先进制程逻辑、先进存储、碳化硅(SiC)、化合物半导体等多元应用场景,一举打破国外技术与供应壁垒,成为国产高端离子注入机产业化的重要里程碑。
 
凯世通本次推出的Hyperion先进制程大束流离子注入机,直击先进制程离子注入工艺的四大核心挑战——低能超浅结注入的精度与产能平衡、大束流高产能与低能控制协调、离子束角度均匀性提升、颗粒污染控制,全面匹配国内先进工艺芯片制造需求。
 

 据介绍,该产品搭载长寿命大束流离子源、低能减速机构、先进电荷中和系统等全自主核心模块,性能指标对标进口主流设备,其注入截面分布、剂量均匀性控制均达到国内先进工艺要求,可满足1xnm DRAM、3D NAND等先进存储芯片以及先进逻辑芯片的低剂量漏极超浅结注入、源漏欧姆接触栅掺杂等核心工艺需求,为先进制程离子注入工艺提供自主可控的全方位定制化解决方案。
 
Hyperion系列产品示意图
 
据悉,目前该产品已交付国内头部先进逻辑、存储客户产线进行验证,成为国产低能大束流离子注入机的标杆产品。
 
另一款核心新品iKing 360中束流离子注入机,则聚焦窄线宽、高精度掺杂、低污染控制等行业痛点,实现了能量性能、角度控制、高温适配及量产通用性的多项关键技术突破。在核心性能上,该设备单电荷最高能量达360KeV,三电荷至1080KeV,可替代部分高能机工艺,最大束流5mA让产能较传统中束流设备提升30%以上;在工艺适配性上,其精准调控离子束平行度与发散角,角度重复性达到先进工艺严苛标准,支持高温/极低温注入,能有效优化通道注入效应,完美匹配SiC、GaN等宽禁带半导体制造需求,同时同步适配6/8英寸碳化硅工艺,为功率器件、化合物半导体产业化提供核心设备支撑。
 
iKing 360系列产品示意图
 
此外,iKing 360搭载的垂直照射角度校正系统、第二级质量分析器,还实现了离子束角度的精准校正与能量污染的彻底消除,进一步提升了芯片制造的良率与稳定性。
 
凯世通表示,两款新品均采用“通用平台+模块化”设计理念,通过客户需求牵引与自主技术驱动,有效攻克了低能控制、角度控制、热损伤等行业痛点,为客户提供稳定、高效、高良率的离子注入工艺方案。
 
量产数据印证实力:千万片过货背后的技术底气 

在展会现场的采访中,凯世通表示,本次参展不仅带来双系列新品,更携全品类离子注入机解决方案集中亮相,致力于为客户提供全生命周期、一站式离子注入服务整体解决方案。
 
回顾2025年,作为被列入实体清单后的第一年,凯世通顶住海外供应链断链、国际竞争对手降价打压等压力,实现了经营发展的历史性突破:低能大束流离子注入机在国内头部客户产线安全量产12英寸晶圆超1000万片,营业收入同比增速超80%;国内首台CIS低能大束流离子注入机完成验收,其核心指标金属污染含量低于国际厂商产品一个量级;同时加速供应链国产替代,在高压电源、MFC、静电吸盘等核心零部件领域实现联合开发,持续提升零部件国产化率。
 
这一规模化量产和取得的一系列突破成果,得益于公司长期坚持的“通用平台+模块化+产业化”设计理念。据介绍,通过正向设计与自主创新,凯世通攻克了极端低能量与大束流之间的矛盾,形成了长寿命离子源、高质量分析磁体、束流减速装置等关键技术模块,并在颗粒污染控制、注入角度控制等方面形成了独特技术优势,为头部晶圆厂提供了稳定的量产保障。
 
面对AI浪潮下半导体制造对设备精度、效率的更高要求,凯世通也在积极布局技术升级。据介绍,凯世通高度重视正向开发,针对AI芯片的高精准度、高洁净度需求,研发了独特的颗粒污染与金属污染控制技术;同时将AI技术反向赋能于设备研发与运维,在离子注入机自动调节模块引入AI算法,实现设备故障的预测性诊断,并通过大数据与大模型技术提升公司运营效率与产品开发速度,精准适配AI时代晶圆制造、算力设备的核心需求。
 
先导集团“材料-设备-零部件”全链条赋能 

而凯世通的快速发展与技术突破,自然也离不开先导集团的全链条赋能。作为全球领先的泛半导体高端材料、器件、模组、系统研发与制造企业,先导集团1995年成立,拥有全国唯一国家稀散金属工程技术研究中心、国家认定企业技术中心等七大国家级创新平台,在硒、碲、铋、铟、镓、锗等战略金属领域,集团产量全球领先,并已构建起覆盖高纯材料、衬底、外延、芯片、半导体设备、核心零部件的完整产业链,形成了从底层稀散金属材料到核心零部件、整机设备的垂直一体化布局。
 
2024年11月,先导集团成为凯世通战略实控人后,充分发挥材料+设备+零部件的全链条协同优势,为凯世通提供核心材料支撑与零部件自主研发能力,不仅助力凯世通搭建起更具韧性的全国产供应链,实现降本增效,更推动其打造出半导体离子注入机整机、零部件、材料、服务一站式解决方案,搭建全工艺测试验证平台,实现从核心部件到整机系统的自主可控。
 
本次展会上,先导集团与元创精密的同台参展,更是将这种产业链协同优势展现得淋漓尽致。元创精密聚焦半导体设备核心零部件研发制造,其产品与凯世通的整机设备形成高度配套,而先导集团则从材料端为二者提供底层技术支撑,三者形成了“材料-零部件-整机”的完整产业生态,实现了技术研发、产品制造、供应链保障的深度协同,凸显出国产半导体产业链多元化布局的核心价值。
 
这种协同模式不仅大幅提升了国产半导体设备的研发效率与交付稳定性,更在核心技术攻关、供应链自主可控方面形成合力,为国产半导体设备产业的规模化、高端化发展筑牢根基。
 
展望:全链协同,加速国产替代新征程 

对于未来的行业布局,凯世通表示,将继续以创新为驱动力、以应用为牵引,2026年将在持续向国内头部企业交付订单的基础上,进一步拓展化合物半导体、碳化硅行业的设备需求,同时持续关注并布局海外市场。依托先导集团的垂直一体化优势,凯世通将以离子束技术为核心,迭代升级全系列产品,完善一站式服务生态,深度协同产业链上下游推进联合创新,持续提升国产离子注入设备的技术竞争力与市场占有率。
 
从凯世通的双新品突破,到先导集团、元创精密的产业链协同,本次SEMICON China 2026上,国产半导体产业展现出的不仅是单一设备的技术进阶,更是全产业链的协同发力与多元布局。
 
在国产替代加速与AI芯片需求爆发的双重背景下,以凯世通为代表的国产半导体设备企业,正凭借自主创新与产业链协同优势,逐步打破国外垄断,推动我国集成电路产业向高端化、自主化、规模化迈进,为打造自主可控的半导体产业生态贡献核心力量。
责任编辑:SemiInsights

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