NOR Flash未曾抵达之境：2Gb的国产超级闪存要来了
2026-08-24
11:10:40
来源: 互联网
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近日，中天弘宇第二代大容量新型闪存芯片取得重大进展，基于"二次电子倍增注入浮栅"原创技术架构的单芯片容量已达2Gb，采用28纳米工艺制程，即将全速推进送测与量产。这是全球兼容NOR Flash领域时隔21年后首次出现容量级别的实质性迭代。
产业链消息证实，中天弘宇第一代产品8M版本累计出货量已突破6亿颗，在真实市场环境中验证了"二次电子倍增注入浮栅"技术的可靠性与可行性。从第一代到第二代，产品容量实现256倍跃升，标志着该技术架构不仅具备原理级创新价值，更拥有持续微缩与规模扩展的工程能力，形成了从原理验证到量产落地的完整闭环。
从技术参数看，第二代产品在闪存发展史上具有标志性意义。自2005年富士通与AMD合资公司Spansion推出单芯片1GbNOR Flash样品后，该领域在容量维度长期停滞，业界普遍认为传统浮栅结构已逼近物理极限。中天弘宇通过原理级创新推出超级闪存，在兼容NOR Flash标准接口的前提下突破容量瓶颈，为这条沉寂多年的技术路线重新打开了迭代空间。
产品特性方面，第二代超级闪存芯片具备防侵入与快速擦除能力，在物理层面构建了数据安全防线。当存储介质遭遇非法物理访问时，芯片可自擦除，这一特性直接回应了个人信息安全、公共安全及关键信息基础设施领域长期存在的痛点。同时，该技术可为每一颗芯片赋予不可复制的唯一硬件标识，为物联网终端"一机一码"、安全启动与防伪溯源提供底层支撑。
在AI与边缘计算方向，大容量NOR Flash的稀缺性一直是存内计算方案落地的关键制约。传统NOR Flash容量有限，难以支撑复杂神经网络模型的权重存储与推理计算。中天弘宇2Gb超级闪存产品的问世，显著提升了存内计算架构中的可用存储密度，为边缘AI推理、神经网络加速等应用提供了新的硬件选项。
从产业层面看，中天弘宇的技术路线完全基于自主知识产权，不受外部专利体系掣肘，在存储这一战略必争之地实现了"根技术"层面的自主可控。随着第二代产品进入送测阶段，国产存储芯片在全球市场拥有了差异化竞争的技术底座，也为后续更大容量、更先进制程的持续迭代预留了充足空间。
责任编辑：SemiInsights
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