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不容错过！SiGe锗硅工艺流片接单进行中！

2021-07-11 14:00:10 来源: 半导体行业观察

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由于受硅材料固有特性的限制，基于硅工艺的器件速度已经接近到物理极限，进一步提升器件速度并保持线性特性变得十分困难。而SiGe由于其独特的物理性质和重要的技术应用价值，逐渐在电子和光电子半导体器件中得到广泛的应用。

SiGe 速率升级

1、光通信芯片速率升级:

由于Optical Fiber Networks等应用对性能要求较高，因此高性能Sige工艺可以得到应用，fT（GHz）50-300GfT，CMOS器件电压为1.8V/3.3V：

前传从6G/10G向25G升级；
中传以50G/100Gbit/s速率为主；
回传光模块逐渐以100G//200G/400Gbit/s速率为主。
应用于光通信方向都是在SiGe 搭配CMOS器件180nm节点，性能优异。

2、高性能射频前端以LNA/PA 为主:

用于Automotive Radar, 60GHz WiFi, 24GHz Backhaul, Light Peak and Thunderbolt, GPS LNA等高性能模拟器件, 集成SW+LNA, LNA+SW+PA射频前端FEM的SiGe工艺， fT（GHz）一般小于100G，搭配350/180nm CMOS器件。

Millimeter Wave 等应用一般使用200G以上fT的工艺，搭配180nm的CMOS器件。

3、除光通信、射频前端以外的其他高速应用:

对于Cable/DSL line drivers, Audio Amplifiers, Hard Disk Pre-Amplifiers, Serdes 等应用，其Ft（GHz）一般为50-300G, CMOS器件电压为1.8V/3.3V。

目前，SiGe工艺方向已有数十家客户Tape-out，目前已有客户在光通信、服务器高速接口等方向通过摩尔精英的流片服务进入量产环节。

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摩尔精英流片服务方案

摩尔精英为客户提供一站式晶圆流片、封装、测试、产品工程及量产管理服务，包括全工艺覆盖的MPW/FullMask/量产服务，封装快速打样/SiP设计/量产管理、基于自主ATE设备的测试服务，和项目整体管理包含质量、交期和良率等服务。

摩尔精英流片服务依托于与国内外主流晶圆厂建立战略合作关系，提供8nm-350nm的流片服务，涵盖MPW, Fullmask及量产服务；根据每个客户的需求，提供质量、交期和性价比均衡的最佳的流片解决方案。

产品/应用	节点	阶段
TIA单波100G	180nm	生产中
CDR	180nm	生产中
50-100GHz的光模块芯片	180nm	量产
高速ADC	180nm	全掩膜

SiGe工艺部分成功案例

摩尔精英流片服务提供专业的技术服务流程：

提供工艺选择的相关资料（工艺覆盖0.35um-8nm）
帮助选择合理及正确process devices 和 production mask
协助客户完成 Tape-out 流程
跟踪并保障Fab out schedule
提供晶圆生产inline测试报告
提供完整的晶圆物流及交货服务

主流晶圆厂工艺节点：

自建FAE技术团队，平均Fab PIE CE工作经验10+, Design Service工作经验 5+, Fab端驻场服务，直接对接Tapeout window，高效反馈客户问题。

摩尔精英流片服务供应商（部分）

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关于摩尔精英

摩尔精英致力于“让中国没有难做的芯片”，以 “芯片设计云、供应链云、人才云”三大业务板块，打通芯片设计和流片封测的关键环节，提高效率、缩短周期、降低风险，打造芯片设计和供应链整合的一站式平台，客户覆盖全球1500家芯片公司。

芯片设计云为客户提供从芯片定义到产品的Turnkey全流程设计服务和IT/CAD及云计算服务；供应链云为客户提供一站式晶圆流片、封装、测试、产品工程及量产管理服务；人才云为行业培养输送专业人才并助力IC人才终生学习。

摩尔精英总部位于上海，在合肥、北京、深圳、无锡、郑州、重庆、成都、南京、新竹、法国尼斯、美国达拉斯和硅谷等地有分部。

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