Chip 2025中国芯片科学十大进展正式公布

10月14日，湾区集成电路科学技术大会暨第四届芯片大会于深圳盛大开幕，在深圳市领导、院士嘉宾、产学研各界1500人见证下，Chip期刊正式发布「Chip 2025中国芯片科学十大进展」、「Chip 2025中国芯片科学十大进展提名」、「Chip 2025中国芯片科学十大进展产业新芽」三大奖项。


Chip 2025中国芯片科学十大进展颁奖典礼现场


Chip期刊主编毛军发院士与施毅院士共同为十大进展颁奖


Chip期刊执行主编、长江学者金贤敏教授与Chip期刊编委、香港工程院院士姚新共同为十大进展提名奖颁奖
 

深圳市投控东海投资有限公司总经理赵守明与无锡市滨湖产业投资发展(集团)有限公司副总经理徐可任共同为十大进展产业新芽奖颁奖

Chip 2025中国芯片科学十大进展（排名不分先后）

复旦大学包文中、周鹏联合团队
基于二维半导体材料（MoS₂）的32位RISC-V架构微处理器「无极」

成果通过自主创新的特色集成工艺，通过开源简化指令集计算架构 （RISC-V），在国际上实现了二维逻辑芯片最大规模验证纪录（集成5900个晶体管），完成了从材料到架构再到流片的全链条自主研发，创造了该领域最大规模的功能芯片验证纪录。


成果原文：https://www.nature.com/articles/s41586-025-08759-9

上海交通大学陈一彤课题组
全光大规模语义生成芯片LightGen

LightGen芯片在国际上首次实现了超高速、超低功耗的全光大规模生成式AI，让光“理解”和“认知”语义，为新一代算力芯片助力前沿人工智能开辟了全新路径。


成果原文：https://www.science.org/doi/10.1126/science.adv7434

湖南大学段曦东团队
突破栅介质极限的高性能p型二维晶体管

成果首次从物理机制与器件实现两个层面系统性突破了二维半导体中P型接触电阻高、掺杂效率低、器件性能受限等长期关键难题，为实现高性能P型器件提供了切实可行的解决路径。


成果原文：https://www.science.org/doi/10.1126/science.adp8444

北京科技大学张跃院士团队
原子层键合：让二维半导体“无缝对接”工业应用

成果创新性提出了原子层键合接触学术思想，首次实现了二维半导体材料的表面单原子层精准去除和金属原子共格外延，研制出达到后道集成工艺热预算要求的二维晶体管器件，各项性能指标全面超过了国际半导体器件与系统（IRDS）技术路线图的要求，有力推动二维半导体器件从实验室向工程化制造发展。


成果原文：https://www.science.org/doi/10.1126/science.adz2405

北京大学刘开辉、邱晨光，中国人民大学刘灿团队
用于集成电子学的二维硒化铟晶圆

成果创新性提出“固–液–固”二维InSe半导体制备策略，首次在国际上实现了高结晶质量、纯相结构的晶圆级硒化铟薄膜，并依托于此材料构建出高性能硒化铟晶体管的晶圆集成阵列，为我国后摩尔时代高性能芯片研发提供核心材料解决方案。


成果原文：https://www.science.org/doi/10.1126/science.adu3803

复旦大学王水源、周鹏团队、中国科学院上海技术物理研究所胡伟达团队和复旦大学张嘉漪团队
零压宽谱视网膜假体修复增强失明视觉

成果创新性地利用低维碲半导体材料的生物兼容、宽谱光吸收与对称破缺特性，设计制备了形貌可控、均匀分布的TeNWNs，首次实现了无需外接电源、覆盖可见至近红外II区的宽谱视网膜修复，为发展下一代生物集成式智能半导体传感系统开辟新路径。


成果原文：https://doi.org/10.1126/science.adu2987

北京大学王兴军、舒浩文团队和香港城市大学王骋团队
面向6G全频段无线通信的光电融合无线收发芯片

成果提出了“通用型光电融合无线收发引擎”的概念，并基于薄膜铌酸锂光子材料平台成功研制出超宽带光电融合集成芯片，创纪录地实现了超过110 GHz覆盖范围的自适应可重构高速无线通信，为6G通信高效开发太赫兹乃至更高频段的频谱资源扫清了关键障碍。


成果原文：https://www.nature.com/articles/s41586-025-09451-8

北京大学孙仲、蔡一茂、王宗巍
高精度可扩展模拟矩阵计算芯片

成果通过新型信息器件、原创电路和经典算法的协同设计，首次将模拟计算精度提升至24位定点精度，媲美数字FP32标准，将传统模拟计算有效精度提升五个数量级，成功攻克“模拟计算世纪难题”。为应对AI与6G算力挑战提供了自主可控的技术方案，为发展下一代算力技术奠定了坚实基础。


成果原文：https://www.nature.com/articles/s41928-025-01477-0

华中科技大学翟天佑、李渊团队
分子晶体忆阻器

成果首次将分子晶体材料引入忆阻器研究框架，在能效与可靠性上实现了跨越式提升，并提出了一种通过分子工程调控分子间相互作用，构建稳定且均一离子迁移通道的设计思路。推动了忆阻器材料研究从“原子晶体”走向“分子晶体”的重大转变，为非冯·诺依曼计算体系的发展提供坚实的材料与器件基础。


成果原文：https://www.nature.com/articles/s41565-025-02013-z

香港大学张世明团队
三维水凝胶晶体管

成果首创三维水凝胶半导体，建立“三维网络设计—孔相平衡”制备方法与标准，推动晶体管由二维平面迈向三维体块；将三维水凝胶半导体与活细胞集成，构建活体晶体管平台，为生物混合传感、神经形态计算及生物电子技术的类组织化、体积化与空间演化奠定坚实基础，开辟全新路径。


成果原文：https://www.science.org/doi/10.1126/science.adx4514

Chip 2025中国芯片科学十大进展提名奖（排名不分先后）

上海曦智科技股份有限公司
超低延迟大规模集成光子加速器

成果展示了一款由商业产线生产的大规模光电集成计算卡PACE，并提供了全部实测数据，证实了其在计算延迟方面的显著优势。成果展示了光电混合计算系统在实际应用中的巨大潜力，为光电混合计算的商业化奠定了基础。


成果原文：https://www.nature.com/articles/s41586-025-08786-6

北京大学彭海琳团队
首例低功耗二维环栅晶体管

成果展示了世界首例高速、低功耗二维环栅晶体管原型器件。该晶体管的性能与能效同时超过了传统硅基晶体管的物理极限，是世界上迄今速度最快、能耗最低的晶体管。该原创性工作突破了后摩尔时代高速低功耗芯片的二维新材料精准合成与新架构三维异质集成瓶颈，为开发未来先进芯片技术带来新机遇。


成果原文：https://www.nature.com/articles/s41563-025-02117-w

北京大学高鹏团队
在纳米尺度测量芯片界面的热输运

成果创新发展了基于振动电子能量损失谱的热输运电子显微技术，首次将稳态热流下的温度测量推进至亚纳米尺度，并在AlN/SiC异质结中实现界面热阻测量与跨界面声子输运动力学探测，为先进芯片纳米尺度热管理与热工程研究提供全新手段。


成果原文：https://www.nature.com/articles/s41586-025-09108-6

清华大学唐建石、吴华强团队与天津大学许敏鹏、明东团队
基于忆阻器类脑计算芯片的自适应脑机接口

成果研制了一款128Kb规模的忆阻器芯片作为自适应脑电解码器，构建了完整的脑机接口系统，提出了单步解码策略和交互式更新框架，实现了生物大脑与神经形态忆阻器类脑芯片的首次紧密交互与协同演进，为人机混合智能开辟了新途径。


成果原文：https://www.nature.com/articles/s41928-025-01340-2

北京大学雷霆团队
热电橡胶材料及器件

成果首次提出“热电弹性体”概念，并构建了首个弹性热电发电机，可在人体运动中紧密贴附皮肤，持续收集转化人体热能。该研究为解决柔性电子供能难题提供了全新材料设计思路，推动了热电材料从“柔性”向“弹性”的跨越，为下一代自供能电子系统的实现奠定了基础。


成果原文：https://www.nature.com/articles/s41586-025-09387-z

清华大学尹首一、胡杨团队
晶圆级AI芯片

成果围绕“以架构补工艺、以集成超制程”的思路，在国际上首次发表了晶圆尺度大芯片计算与集成架构设计方法学，成功研制了12寸晶圆级AI芯片验证样机，实现一片晶圆即一颗芯片，在芯片面积、互连规模和系统算力等方面取得显著提升，在国内现有工艺条件下探索出高算力、高能效AI芯片发展的新方案。


成果原文：https://dl.acm.org/doi/epdf/10.1145/3695053.3731016

东南大学/紫金山实验室张川、尤肖虎团队
全球首款面向6G的全消息传递动态可配置基带ASIC芯片

成果创新性地提出基于贝叶斯推理的基带“算法-电路-工具链”全流程统一框架，并成功研制出全球首款全消息传递、动态可配置的基带ASIC芯片（BayesBB）。该成果从根本上解决了传统基带芯片因模块分立而导致的性能损失、硬件效率低下、灵活性不足等难题，为移动通信基带信号处理芯片的实现开辟了全新路径。


成果原文：https://ieeexplore.ieee.org/document/11045284

中国科学技术大学孙海定团队
微型紫外光谱成像芯片

成果通过器件结构创新与先进深度学习算法相结合，提出并验证了一种全新的微型化光谱仪和光谱成像芯片实现方案。首次将宽禁带氮化物半导体作为光谱仪芯片的材料载体，拓宽了氮化物在新兴光电领域中的应用场景，有望引领光谱成像迈入新一轮产业升级，为下一代小型化、便携式和可穿戴光谱技术的大规模普及提供新的思路和解决方案。


成果原文：https://doi.org/10.1038/s41566-025-01754-6

西安交通大学金属材料强度全国重点实验室材料创新设计中心团队
面向相变类脑计算技术的无漂移相变存储材料

成果解析了非晶相变材料结构弛豫行为的原子尺度机理，设计了一种局部结构几乎全部为完美八面体的铬碲非晶合金CrTe₃，并验证了CrTe₃器件在反复操作十万次之后依然无明显电阻漂移行为。此类相变存储材料的创新设计从根本上解决了相变存储器件的电阻漂移问题，为发展高精度相变类脑器件提供了关键的材料载体。


成果原文：https://www.nature.com/articles/s41563-025-02361-0

中国科学院苏州纳米所赵宇坤、苏州科技大学张建亚联合团队
发明高效低成本的介电泳诱导方法研制纳米级类脑器件

成果发明了一种高效低成本的介电泳诱导对准方法，成功制备了纳米级GaN类脑器件，此方法具有操作简单、成本低和快速制造等优点。通过系统的实验与表征，研究团队验证了该器件在神经形态计算中的应用潜力，其低制备成本与优异的突触性能，为先进的集成神经形态芯片提供了可行路径。


成果原文：https://doi.org/10.1016/j.chip.2025.100149

Chip 2025中国芯片科学十大进展产业新芽奖（排名不分先后）