芯原戴伟民：FinFET与FD‑SOI两条腿走路，抢抓边缘AI新机遇

当前，AI浪潮正由云端算力底座加速向物理AI、边缘智能落地演进，汽车电子、物联网、毫米波射频、可穿戴设备等场景，对芯片的功耗、可靠性、成本提出全新诉求。传统体硅工艺逐步逼近物理与热学极限，FD-SOI凭借自适应体偏置、低漏电、高射频性能、硬件安全等差异化特质，成为支撑下一代边缘智能系统的关键工艺路线，全球产业链上下游加速协同布局，从衬底、制造、IP设计到应用端持续推进技术落地与生态成熟。


在此产业大背景下，第十一届上海FD-SOI论坛于2026年9月20日正式举办。本次论坛汇聚IBS、格罗方德、Soitec、新傲芯翼、清华大学、芯原股份、新加坡国立大学、Racyics、Weebit Nano等海内外龙头企业与科研院校专家，围绕AI对半导体产业的拉动、物理AI浪潮下FD-SOI的技术价值、300mm SOI国产化、IP与设计实践、存算融合、车规级落地等核心议题，展开主旨分享与产业对话，共探FD-SOI技术创新与规模化产业化路径。

论坛开幕式上，芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民发表开幕致辞，从技术源头回溯 FD-SOI 产业发展脉络，分享了对技术路线、全球节点进展、国内产业现状与市场空间的深度判断。

“早在2001年，伯克利大学胡正明教授团队同时提出FinFET与FD-SOI两种技术，用来应对20nm以下CMOS工艺的缩放挑战，FinFET是三维全耗尽晶体管，FD-SOI则属于二维全耗尽晶体管，二者本就不是替代关系。”戴伟民在致辞中表示。

回顾产业发展历程，从2012年ST推出28nm FD-SOI平台、2013年首届上海FD SOI论坛举办，到如今18nm FD-SOI实现产品落地，欧洲FAMES先导线推进10nm、7nm FD SOI研发，FD-SOI已经走过十余年产业演进。ST与三星联合发布18nm FD-SOI工艺，搭载该工艺的STM32V8 MCU已经实现出货；欧洲FAMES先导线在欧盟芯片法案支持下，完成10nm FD-SOI探索版PDK交付，持续向7nm FD-SOI推进，标志着FD-SOI技术正式向个位数纳米时代迈进。针对中国 FD-SOI 制造，戴伟民提出了"新一代划分"框架：G1 、G2、G3。在衬底供应端，Soitec 与上海新昇均已向中国供应 12 英寸 FD-SOI 衬底。


戴伟民提出“两条腿走路”的核心产业观点：FinFET与FD-SOI并行发展，各有擅长的应用赛道。FinFET更适配云计算、高性能服务器、高算力AI等持续高性能场景；FD-SOI则在物联网、可穿戴、自动驾驶、航空航天、毫米波雷达、长待机边缘AI设备具备得天独厚的优势，兼顾低功耗、射频能力与模拟 数字混合集成能力。

从市场维度看，汽车电子、IoT与可穿戴设备、边缘AI、5G/6G及卫星通信雷达，构成FD-SOI四大核心应用阵地，市场需求持续向上。戴伟民指出，FD-SOI是面向众多边缘AI应用的优选工艺，超低功耗与优异无线连接是它的两大核心竞争力。

同时他也客观谈及产业现实挑战，FD-SOI的价值释放离不开设计者充分用好自适应体偏置等核心特性；产业做大，更需要衬底材料、晶圆制造、IP设计、终端系统、科研机构全链条协同发力。上海FD-SOI论坛历经十一届，累计参会超过3000人次，正是希望搭建全球协同交流的平台，推动技术从研发走向大规模商用。