格罗方德：AI迈向物理世界，FD SOI开启半导体创新新浪潮

9月20日，在第十一届上海FD-SOI论坛现场，格罗方德首席执行官Tim Breen带来《从AI基础设施到物理AI：开启半导体创新的下一波浪潮》主题分享。他剖析行业三大核心趋势：数据中心规模持续迭代扩张、AI能力向物理世界迁移、全球半导体供应链价值愈发凸显，并解读物理AI时代下FD-SOI工艺的核心价值与未来演进路线。


Tim Breen提出，AI行业正在经历发展阶段的切换：第一波AI浪潮聚焦数据中心算力底座建设，而下一轮重大变革，是智能大规模落地到物理现实世界。自动驾驶、工业自动化、医疗设备、智能互联基础设施、人形机器人等大量终端，需要机器完成感知、思考、执行、通信的闭环工作模式，这对半导体提出全新标准，不再只追求单一算力性能，而是对功耗、散热、射频连接、混合信号集成、系统综合能力形成综合约束。

“当智能下沉到边缘端，芯片设计的挑战变为在功耗、散热、成本与尺寸的多重限制之下实现性能提升，这要求我们跳出单一芯片思维，用系统级视角，统筹计算、存储、连接、感知与功耗管理。”Tim Breen表示。


演讲中，他用“感知（Sense） 思考（Think） 执行（Act） 通信（Communicate）”闭环框架拆解物理AI的系统需求。感知环节需要模拟精度与多模态融合能力；思考环节强调超低漏电、可动态调节的功耗性能；执行环节看重高密度IO与实时确定性控制；通信环节则要求高性能多频段射频与安全模拟射频IP。而FD-SOI工艺恰好可以完整匹配整套系统需求：凭借优异的射频性能、混合信号集成能力、可动态调配的功耗控制、可集成MRAM/RRAM嵌入式非易失性存储器等特性，为物理AI全链路提供底层工艺支撑。


面向可穿戴设备、医疗终端、汽车雷达、车联网、工业机器人、软件定义汽车等场景，FD-SOI能够充分发挥低漏电、动态功耗调节、片上存储集成优势，减少对外置存储的依赖，适配始终在线、实时响应的业务负载。

谈及FD-SOI的下一步技术演进，Tim Breen介绍，新一代FDX创新路线图已经展开，方向涵盖先进材料与器件优化、AI嵌入式存算存储、面向5G/6G与量子系统的射频创新，以及把感知、计算、存储融合在一起的3D异构集成技术，持续拓展物理AI系统的能力边界。


在供应链层面，依托格罗方德横跨美欧亚的全球化制造网络，通过深度协同客户，将差异化的高能效工艺方案落地到高增长市场，助力物理AI从概念走向大规模产品落地。