Racyics ABX自适应体偏置：从IoT到汽车，22FDX能效再突破

2026年9月20日，第十一届上海FD-SOI论坛在上海浦东香格里拉大酒店举行。Racyics首席产品官Sebastian Höppner发表题为《面向22FDX的Racyics ABX自适应体偏置技术：从物联网到汽车应用的全球领先能效解决方案》的演讲，系统介绍了ABX自适应体偏置IP如何收窄PVT角点、释放22FDX的能效潜力，并分享了从最低能量点IoT到高温车规Grade 1的落地案例。


Sebastian Höppner在演讲中指出，FD-SOI技术如GlobalFoundries 22FDX允许通过自适应体偏置（ABB）在运行中调节背栅电压。ABB能够收窄速度与漏电功耗的工艺、电压和温度（PVT）变化范围。他展示的对比图显示：采用ABX正向体偏置（FBB）可增强最坏情况速度，而采用ABX反向体偏置（RBB）则可降低最坏情况漏电。这种角点收紧直接转化为性能、功耗和面积的显著优化。


据介绍，Racyics ABX是一套面向22FDX的完整自适应体偏置解决方案，包含ABX硬宏、基于四角签收的实现与余量方法、与代工厂基础IP的互操作性，以及支持多ABB域（含RBB/FBB混合）、DVFS/PSO组合。ABX IP配置在设计时完全已知，接口简单：静态配置向量、参考时钟、使能和锁定信号；VNW范围-0.20V至+2.40V，VPW范围-2.40V至+0.20V；ABB域供电范围0.360V至0.945V；锁定时间低至50μs以下，典型总功耗低至13μW。


“ABX是一种设计独立的ABB方案，无需关键路径复制，也无需设计相关监控。”Sebastian Höppner分享道，“它让设计者可以在设计阶段就透明地获得ABB带来的PPA提升。”

在价值展示部分，他给出具体数据：ABX FBB在等漏电条件下，LTVT36@0.5V时性能提升10.3倍，LTVT36@0.6V时提升3.0倍，LTVT36@0.8V时提升1.2倍；在等性能条件下，SLVT20/SLVT36@0.5V漏电降至0.1倍。ABX RBB在超低电压下，采用RVT单轨SRAM，动态功耗降低53%，单轨SRAM漏电较代工厂ULL SRAM低44%。他提到，ABX RBB仅使用RVT flavor，无需ULL掩膜。


在分享中，Sebastian Höppner重点介绍了两大应用场景。在最低能量点IoT设计中，基于Arm M4F核心的ABX实现创下世界纪录CoreMark效率：FBB 0.50V方案实现100MHz、6.8μW/MHz（25°C）；RBB 0.55V方案实现40MHz、6.3μW/MHz（25°C，世界纪录）。ABX使MCU能够在最低能量点稳健、可预测地运行。

在高温车规Grade 1场景中，ABX RBB显著降低漏电。22FDX+AP150在150°C下，ABX LKOPT RVT28@0.80V方案漏电降至0.07倍，同时ABX可补偿老化带来的性能退化。他透露，Bosch已选择Racyics ABX解决方案用于其GF 22FDX汽车产品，以在安全关键的Grade 1应用中最小化漏电并保持目标性能。目前已有超过15家客户正在集成ABX。


Sebastian Höppner最后总结，Racyics ABX平台提供从0.40V到0.90V、RBB/FBB及性能优化/漏电优化方案的多种角落组，覆盖IoT、边缘AI、音频、汽车Grade 1/2等应用。公司还提供自有标准单元和存储器IP，与ABX“默认兼容，按需优化”。他强调，ABX让客户留在22FDX即可与先进节点竞争，缩小性能差距，节省FinFET迁移的成本和周期；同时模拟、射频和数字可集成在同一芯片上，无需分区。